DRAM与Flash转佳 力成明年Q1保持年成长
编辑：Helan 发布：2016-11-21 10:43力成科技第4季在NAND Flash、Mobile DRAM与图形Graphic DRAM的需求强劲、西安厂标准型DRAM的产出持续放量，本季营收有望维持季成长。在DRAM第4季标准型存储器报价仍走升的预期声中，将减少28nm晶圆供货不及、力成逻辑IC本季贡献度减少的影响，初估力成第4季毛利率就算是减少、幅度亦有限。而展望2017年第1季，在西安厂持续投产、手机储存eMCP带动Flash的挹注，明年初淡季不淡，并较2016年同期成长。
（一） 力成Q4营收季成长，毛利率因产品结构不同而略有变动：
在产能利用率大幅提升，力成第3季毛利率22.5%、季增1个百分点，税后盈余13.3亿元、季增18%、年增21%，符合预期。
展望第4季，受惠于NAND Flash、Mobile DRAM与Graphic DRAM需求强劲、西安厂标准型DRAM产出持续放量。尽管逻辑产品线营收将因28nm晶圆供货不及而小幅下滑，但是法人仍预估，力成第4季营收季增2%至130亿(新台币，下同)，封装与测试产能利用率仍维持在相对高峰，有可能小幅季增。
高毛利率的逻辑IC营收比重降低，第4季毛利率也可能小幅下滑。
（二） 力成西安厂产出量快速增加，挹注成长：
力成为主要客户美光（Micron）接单Mobile DRAM的封装与测试、标准型DRAM封装、NAND Flash封装。
西安厂的DRAM封装实际产出，由2016年6月单月产出约2000万颗，迄10月份产出已跳升至单月5000万颗。预期将持续逐月放量至2017的第一季的单月1亿颗。力成中国西厂产出量快速增加。
（三） 力成2017年动力来自Flash用量增、SSD渗透率提升：
展望2017年成长动能，主要来自NAND Flash受惠于手机的eMCP搭载量倍增，以及SSD（固态硬盘）渗透率大幅提升，此外，客户之一的Intel（英特尔）大连新厂开始量产3D NAND，以及高阶封装Bumping月产能倍增至7.4万片、产能利用率维持9成以上。
而2016年资本支出150亿元，已用于Bumping、NAND高阶测试、西安厂DRAM封装产能扩充，让力成西安厂的封装产能大增，预计2017年月产能力将挑战至1亿颗，也是力成明年的营收动力之一。
