力成减DRAM产能加速3D IC制程
编辑：Helan 发布：2012-02-10 09:02前阵子收购台湾二线封测龙头厂超丰的力成，已成为全球第5大半导体封测厂，其今(9)日召开法说，公布营运报告去年Q4营收约为97亿，每股税后盈余(EPS)为1.7元，2011总营收达395亿，整体毛利率为23%，全年EPS达8元。
从其业务组合来看，力成目前测试业务占比为37%，封装业务为63%，而从产品组合来看，去年Q4的DRAM就占了68%，Flash为30%，逻辑IC为2%。值得注意的是，董事长蔡笃恭表示，“未来会逐步降低DRAM比重，不希望再继续扩充产能”。预计到今年Q2，DRAM就会降至50%，Flash和逻辑IC分别会拉升至30%及20%。
事实上，目前如岛外一线DRAM大厂早已将标准型DRAM比重降低至50%以下，以减少标准型记忆体价格下跌的冲击，同时并转进毛利较高的行动式记忆体(mobile DRAM)及伺服器用记忆体，蔡笃恭说到了Q3，供需应该会达到平衡，“但现阶段mobile DRAM生意仍然很好”。
另外，外界关心的3D IC先进封装部分，蔡笃恭指出，“目前进展都非常顺利，甚至未来投入这块的研发费用会增加更多”，近期还花了5000~6000万美金在竹科园区设立试验工厂，明年就会有显著的小量产出。
3D IC是把许多块分散的DRAM像豆腐干那样，一层层堆叠起来，之后再和CPU黏在一起，变成在平板电脑里只会看到一颗相当小的尺寸，适合轻巧追求速度的智慧型手机和平板电脑使用，不过这种高阶封装进入门槛极高，封测厂需使用TSV直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via)技术来使晶片或晶圆进行垂直堆叠。
