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全球NAND Flash产业盛事闪存峰会(Flash Memory Summit)于8月9~11日在美国登场，群联董事长潘健成在8月7日记者会上曾无奈指出：「本来应该亲自领军参加，现在坐上这里陪各位聊聊天」。群联预计在该会中发布关键的PCIe Gen 3x2 NVMe PS5008控制芯片，专供消费市场，另针对企业用户市场推出S10DC控制芯片。

2016年Flash Memory Summit盛大登场，群联专为消费性电子、内嵌式及企业解决方案展出其最新存储器控制IC技术，其中包括PS5008-E8/E8T PCIe Gen3x2 NVMe控制芯片、PCIe 及SATA接口的3D NAND解决方案、从物联网到数码电子看板的嵌入式解决方案、可容错嵌入式系统、实际以S10DC为样本进行ServeTheHome的远程评测服务，以及搭载PS5007-E7 PCIe方案的全球最快企业用Liqid Element U.2 SSD。

针对消费者市场，群联在Flash Memory Summit上发布PCIe Gen 3x2 NVMe PS5008控制芯片，相对于SATA接口提升3倍成本效益的解决方案，也配备DDR/DDRL的E8以及DRAM Less 2的E8T两种版本，能灵活地进行DRAM配置。

E8版本可达每秒1600MB/1300MB循序读取/写入、240,000/220,000IOPS最大随机读取／写入之高效能，且支持智能异常除错机制(SmartECC)、资料通道保护线路(End to End Data Path Protection)，以及主机内存缓冲器(Host Memory Buffer)以保证资料的完整度及可靠性。目前E8版本处于工程样品阶段并预计于2016底前上市。

针对企业解决方案，群联的S10DC结合了高效能及低成本与资料中心环境所需的断电资料保护，S10 DC的高效能、低成本平台在资料中心应用里容许更高效能的的资料传输量，并在ServeTheHome测试程序中夺下9.5/10的高分。

此外，开发商和系统集成商可以远程登入独立的DemoEval测试设备来检验S10DC系统的极速24颗SSD，来观察高工作量下的效能表现。

因应3D NAND时代来临，群联也将SSD控制芯片提升为全系列支持3D NAND，群联PS3111-S11T的SATA控制芯片将第一个提供支持，且在2016年底前将3D NAND支持提供在PS3110-S10、PS5008-E8/E8T及PS5007-E7控制芯片产品在线。

针对嵌入式产业领域，群联控制芯片产品线覆盖汽车、工业、军事和商业应用。