恒忆开发出45nm工艺相变内存技术 已试制出1Gbit产品
编辑：Helan 发布：2009-12-14 17:40瑞士恒忆（Numonyx B.V.）在“IEDM 2009”上发布了面向45nm工艺相变内存（Phase Change Memory：PCM）的制造技术（论文序号：5.7）。并已采用该技术试制出了1Gbit产品。供电电压为1.8V。
试制出的1Gbit产品的实际内存单元面积为0.015μm2，相当于5.5F2（F为半间距）。内存单元的选择用元件采用了面向高集成化的“纵向pnp-BJT（Bipolar Junction Transistor）”。BJT上配置有加热器和记忆元件Ge2Sb2Te5（GST）。
记忆元件的形成采用了基于自对准（Self Alignment）技术的“Wall”架构。在钨触头（W Contact）上设置薄膜纵向加热器元件，然后在其上面直接形成GST，最后自对准地进行蚀刻并制出位线（Bit Line）。通过采用Wall架构，可加大光刻的定位边缘（Positioning Margin）。此外，还具有可保持良好的写入电流控制性、简化记忆元件的形成工艺，从而减少一层临界掩模（Critical Mask）的效果。
在试制1Gbit产品时，采用了波长为193nm的液浸曝光技术。采用3层铜布线，将PCM的内存阵列（Memory Array）与电压为1.8V的高性能CMOS电路进行了整合。
该公司公布的主要评测结果如下。观察BJT的电流电压曲线（IV Curve）发现，BJT在工作时的电流为300μA（VBE=2V时）。可擦写次数方面，公布了超过108次的数据。数据保持特性也得到了好评。“在160℃下加温烘烤1个小时”左右观察晶圆上复位状态下的电阻分布，预计85℃下的数据保持时间将超过10年。
