PCM将现身学术会议 独欠一味？
编辑：Helan 发布：2009-12-04 10:48到目前为止，非挥发性记忆体供应商恒忆(Numonyx)一直对其相变化记忆体(phase-change memory，PCM)技术守口如瓶，让人不满的程度甚至达到必须在签署保密协定的前提下，才提供相关技术规格表。而随着Numonyx把相变化记忆体带进国际性学术会议场合，以上的状况希望会有所改变。
Numonyx将分别在下周于巴尔的摩(Baltimore)举行的国际电子元件会议(International Electron Devices Meeting)与明年2月于旧金山举行的国际固态电路会议(International Solid-State Circuits Conference)上，发表相变化记忆体技术论文。此举代表该公司透过正式学术论文的发表，宣示其让硫属化合物(chalcogenide-based)相变化记忆体取代现有快闪记忆体的决心。
Numonyx在分别将于上述两场会议的不同论文中叙述了其研发成果，该公司的相变化记忆体为容量1Gbit的元件，以45奈米制程生产；该公司先前曾表示预计在2009年生产。这已经非常先进，但似乎还缺少了一样东西──当然，Numonyx论文的详细内容尚不得而知，但从其标题与摘要来看，所谓的每单元多位元(multibit per cell)技术，也就是多层电路元(multilevel cell，MLC)，似乎并未在论文中有所著墨。
然而，在相变化记忆体单元中采用MLC技术，是该种记忆体成功与否的关键；Numonyx也了解这一点，过去也曾表示正在研发该技术。但MLC相变化记忆体看来不会在以上国际学术会议亮相的状况，可能意味着研发过程并不顺利。非晶态变化(crystalline)已被证实在奈米等级下是很难理解的，因此要找到一个能将I-V曲线划分为4个或以上的可重覆停等点(stopping off points)可能会非常困难。
三星(Samsung)已经开始采用30奈米制程量产32Gbit NAND快闪记忆体，MLC技术就在其中扮演关键角色；当每个记忆体单元能储存3位元(bit)或是一个位元组(byte)的容量，就能把4Gbit的阵列转变为32Gbit的记忆体。
相变化记忆体如果要能赶上快闪记忆体的容量，就必须要有MLC技术的配合；而若是MLC在上述的学术会议论文中缺席，恐怕是值得忧虑的。当然，除非Numonyx坚持在学术会议上所发表的成果，都是已经超越发展阶段、并已实际送到客户手中的，那么在2010年底或是2011年看到MLC的现身，时间点就差不多。但这么看来，学术性会议的论文发表，又似乎变成了行销手段？
