权威的存储市场资讯平台English

回到首页 当前位置:技术知识

SSD与HDD合体! Seagate Momentus XT

发布于:2010/5/25 11:43:17 来源:中国闪存市场

Seagate Momentus XT 搭载了 7200rpm 2.5寸硬碟,除了内建了媲美 3.5寸硬碟的 32MB DRAM cache 外,还独特的加上了 4GB 的高速 SLC NAND flash。

东京大学开发1V驱动NAND 为10GB/秒写入SSD开辟道路

发布于:2010/5/21 9:10:21 来源:中国闪存市场

东京大学研究生院工学系研究科电气系工学专业副教授竹内健与日本产业技术综合研究所的研究小组,开发出了驱动电压仅为1V、功耗可比原来降低86%的 NAND闪存技术。

可变电阻式内存可望取代NAND

发布于:2010/5/20 9:12:30 来源:中国闪存市场

致力于新存储器技术开发的风险企业 Unity Semiconductor公司,宣称已开发出一种可取代NAND快闪存储器的技术,为记忆卡和固态硬盘(SSD)提供了新的储存媒介选择。

内存、闪存的大革命---从D-Ram到F-Ram

发布于:2010/5/11 8:44:24 来源:中国闪存市场

韩国教育科学技术部评选出了五位拥有顶尖技术有望推动韩国科学达到新水平的科学家。在物理学领域的教授韩国首尔国立大学物理专门学部的卢泰元(노태원)教授被授予了韩国国家科学家的称号。

相变化存储器相关介绍

发布于:2010/5/5 8:01:34 来源:中国闪存市场

相变化存储器名称有很多种,包括PCM)、PRAM等,全球的相变化存储器分为3大阵营,包括恒忆(Numonyx)/英特尔三星、旺宏/IBM等,其中恒忆和旺宏都称为PCM,三星的产品则称为PRAM。

USB 3.0薄型记忆卡

发布于:2009/12/17 13:34:35 来源:中国闪存市场

USB 3.0薄型记忆卡的优点是高速、省电、传输速度快、体积小,且重点是免收权利金,目前容量由16GB起跳,最高可达2,048GB容量,是目前成长潜力最高的传输接口。

TLC Nand Flash 技术

发布于:2009/12/7 10:54:06 来源:中国闪存市场

一直到2009年TLC(Triple-Level Cell)时代,1个记忆体储存单元可存放3位元。驱动NAND Flash价格不断下降,也使得快闪记忆卡,尤其是小型记忆卡microSD的容量越来越大。

闪存主控IC的作用

发布于:2009/10/26 15:47:48 来源:中国闪存市场

闪存主要是由闪存芯片、主控芯片、晶振、PCB板等部件组成的。其中主控芯片相当于闪存的“灵魂”,它控制着闪存的工作。

固态硬盘的应用优势

发布于:2009/10/26 15:46:48 来源:中国闪存市场

固态硬盘(Solid State Disk),是由控制单元和存储单元(闪存芯片)构成,简单的说就是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘

闪存应用知识问答

发布于:2009/10/26 15:43:12 来源:中国闪存市场

闪存应用知识问答

股市快讯 01-21 12:51

Flash供应商
SamsungKRW2466000.00-1.16
TOSHIBAJPY322.00+2.22
HynixKRW73300.00-2.53
MicronUSD42.75-2.82
IntelUSD44.82+0.76
WDCUSD85.60-0.93
UNISCNY65.52+0.52
主控供应商
PhisonTWD306.50-0.65
SMIUSD48.15+2.75
ALCORTWD21.00+0.24
MarvellUSD23.68-0.04
Card/USB 供应商
TranscendTWD83.80+0.60
A-DATATWD74.90+2.32
封装厂商
SPILTWD50.50+0.20
OSETWD9.19-0.97
PTITWD88.80-0.78
JCETCNY18.78+0.97