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常用且容易混淆的几个基本单位解释

发布于:2015/11/10 15:21:57 来源:中国闪存市场

在存储领域,尤其是在产品容量上,常用的单位容易混淆。

USB-IF介绍不同USB接口标准的区别

发布于:2015/9/6 17:09:28 来源:中国闪存市场

USB Type-C是一个受人欢迎的全新接口标准,但想要清楚地对其进行解释可不是件容易的事。Type-C被描述为10Gbps USB 3.1配置的一种“补充”,但它其实还能支持USB 2.0或3.0。

如何判断NAND Flash品质

发布于:2015/8/3 10:53:22 来源:中国闪存市场

NAND Flash厂商主要是三星(Samsung)、东芝(Toshiba)/闪迪(SanDisk)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)5家,原厂生产出来的Wafer按照品质差异、封装测试形成市面上所谓的原装片、自封品牌、白片、黑片等。

英特尔与美光的3D XPoint技术

发布于:2015/8/3 10:39:23 来源:中国闪存市场

3D XPoint由英特尔和美光合作研发及生产,延迟水平以纳秒计算,这远超NAND Flash以微秒计算的延迟水平,除性能指标大幅提升之外,耐用性也将提高1000倍,这也就意味着当前困扰NAND Flash的写入性能下降和闪存耐久...

SpecTek NAND Flash编号信息_最新

发布于:2015/5/13 16:21:02 来源:中国闪存市场

嵌入式存储接口速度的发展

发布于:2014/10/23 15:14:38 来源:中国闪存市场

智能手机、平板机的存储介质目前以eMMC/eMCP为主流存储方案,eMMC将主控制器、NAND Flash颗粒整合到了一个小的BGA封装内,有效的解决了NAND Flash管理问题。随着市场的发展,技术的进步,速度也不断提升。

SK Hynix Mobile DRAM编号信息

发布于:2014/10/11 12:39:27 来源:中国闪存市场

JEDEC通用闪存标准UFS 2.0

发布于:2014/8/29 12:51:31 来源:中国闪存市场

JEDEC固态技术协会发布的通用闪存(UFS)标准2.0版专为需要高性能低功耗的移动应用和计算系统而设计。相比前一版本,新的UFS 2.0版提供更大的链路带宽以提高性能,延伸安全功能,并进一步降低功耗。

3D NAND技术发展现状

发布于:2014/8/5 11:51:53 来源:中国闪存市场

随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩,技术瓶颈越发凸显,3D NAND Flash技术经过几年时间的沉淀,上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光已在2013年公布了3D技术规划的时程表。

eMCP在智能型手机中的应用

发布于:2014/5/26 15:49:38 来源:中国闪存市场

早期智能型手机内嵌存储主流方案为NAND MCP,是将SLC NAND Flash与低功耗 DRAM封装在一起。该方案具有生产成本低、技术相对成熟等优势。NAND MCP目前主要应用在低端的智能型手机产品中。

股市快讯 02-24 03:42

Flash供应商
SamsungKRW47150.00+0.43%
TOSHIBAJPY3520.00+0.28%
HynixKRW76700.000.00
MicronUSD42.57+2.50%
IntelUSD52.49+2.10%
WDCUSD49.49+4.87%
UNISCNY37.28+2.70%
NanyaTWD60.90+0.16%
主控供应商
PhisonTWD268.50+3.27%
SMIUSD42.99+4.34%
MarvellUSD19.65+0.20%
ASolidTWD40.85-0.61%
RealtekTWD173.00-2.54%
GokeCNY42.36+1.85%
品牌/销售
SeagateUSD47.01+4.21%
InnodiskTWD116.50-0.43%
TranscendTWD68.10-0.58%
A-DATATWD43.50+0.35%
SiSTWD8.89-0.22%
封装厂商
OSETWD13.700.00
PTITWD71.600.00
JCETCNY14.22+2.30%
ASETWD59.80-0.17%