三星推出一款容量高达256GB全新的UFS存储卡,其读取速度上完全碾压现有Micro SD(TF卡)闪存卡。有不少人认为未来UFS存储卡将会取代TF卡的“江湖地位”。
三星公司已经开始量产其48层(即单NAND内48层单元,属于第三代升级技术)3D V-NAND芯片,预计其将被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企业级SSD(PM1633a)等SSD产品。
非盈利机构USB开发者论坛(USB-IF)今天正式宣布了USB Type-C认证规范,该软件协议能够为USB-C产品筑起一道安全防线,确保使用非兼容USB-C线缆进行充电的时候不会对产品造成损坏。
随着科技的发展,台式机/笔记本处理器(CPU)、内存条等配置越来越高,而HDD提升速度有限,导致硬盘与处理器之间数据的输入/输出成为台式机/笔记本性能提升的最大瓶颈,而SSD主流的SATAIII接口速度可达到600MB/S...
谈到SSD总会出现SATAII、SATAIII、PCIe Gen1x1(同PCIe Gen1.0x1)、PCIe Gen2x2(同PCIe Gen2.0x2)、AHCI及NVMe等专属名词,在这里小编也给大家做个简单的讲解。
在存储领域,尤其是在产品容量上,常用的单位容易混淆。
USB Type-C是一个受人欢迎的全新接口标准,但想要清楚地对其进行解释可不是件容易的事。Type-C被描述为10Gbps USB 3.1配置的一种“补充”,但它其实还能支持USB 2.0或3.0。
NAND Flash厂商主要是三星(Samsung)、东芝(Toshiba)/闪迪(SanDisk)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)5家,原厂生产出来的Wafer按照品质差异、封装测试形成市面上所谓的原装片、自封品牌、白片、黑片等。
3D XPoint由英特尔和美光合作研发及生产,延迟水平以纳秒计算,这远超NAND Flash以微秒计算的延迟水平,除性能指标大幅提升之外,耐用性也将提高1000倍,这也就意味着当前困扰NAND Flash的写入性能下降和闪存耐久...
智能手机、平板机的存储介质目前以eMMC/eMCP为主流存储方案,eMMC将主控制器、NAND Flash颗粒整合到了一个小的BGA封装内,有效的解决了NAND Flash管理问题。随着市场的发展,技术的进步,速度也不断提升。
JEDEC固态技术协会发布的通用闪存(UFS)标准2.0版专为需要高性能低功耗的移动应用和计算系统而设计。相比前一版本,新的UFS 2.0版提供更大的链路带宽以提高性能,延伸安全功能,并进一步降低功耗。
随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩,技术瓶颈越发凸显,3D NAND Flash技术经过几年时间的沉淀,上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光已在2013年公布了3D技术规划的时程表。
存储原厂 |
三星电子 | 77600 | KRW | -2.51% |
SK海力士 | 173300 | KRW | -4.94% |
美光科技 | 106.77 | USD | -4.61% |
英特尔 | 34.20 | USD | -2.40% |
西部数据 | 66.05 | USD | -3.32% |
南亚科 | 62 | TWD | -3.58% |
主控供应商 |
群联电子 | 710 | TWD | -6.08% |
慧荣科技 | 71.84 | USD | -1.99% |
美满科技 | 62.13 | USD | -4.77% |
点序 | 78.1 | TWD | -4.99% |
国科微 | 45.31 | CNY | -2.35% |
品牌/模组 |
江波龙 | 98.97 | CNY | +4.27% |
希捷科技 | 82.46 | USD | -1.17% |
宜鼎国际 | 283 | TWD | -4.71% |
创见资讯 | 87.4 | TWD | -3.43% |
威刚科技 | 96.2 | TWD | -6.15% |
世迈科技 | 16.92 | USD | -4.51% |
朗科科技 | 23.21 | CNY | -2.52% |
佰维存储 | 45.00 | CNY | -3.00% |
德明利 | 116.00 | CNY | -3.73% |
大为股份 | 10.05 | CNY | -1.37% |
封装厂商 |
华泰电子 | 64.6 | TWD | -4.44% |
力成 | 174 | TWD | -3.06% |
长电科技 | 24.54 | CNY | -3.95% |
日月光 | 146 | TWD | -3.31% |
通富微电 | 19.79 | CNY | -3.23% |
华天科技 | 7.37 | CNY | -1.99% |
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