权威的存储市场资讯平台English

回到首页 当前位置:技术知识

3D NAND技术发展现状

发布于:2014/8/5 11:51:53 来源:中国闪存市场

随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩,技术瓶颈越发凸显,3D NAND Flash技术经过几年时间的沉淀,上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光已在2013年公布了3D技术规划的时程表。

eMCP在智能型手机中的应用

发布于:2014/5/26 15:49:38 来源:中国闪存市场

早期智能型手机内嵌存储主流方案为NAND MCP,是将SLC NAND Flash与低功耗 DRAM封装在一起。该方案具有生产成本低、技术相对成熟等优势。NAND MCP目前主要应用在低端的智能型手机产品中。

DDR、DDR2、DDR3产品区别

发布于:2014/5/26 15:28:13 来源:中国闪存市场

DDR采用一个周期来回传递一次数据,因此传输在同时间加倍,因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观,以等效的方式命名,因此命名为DDR 200 266 333 400。

Mobile DRAM产品概述

发布于:2014/4/9 17:27:12 来源:中国闪存市场

DRAM按照产品规格可分为标准型DRAM、利基型DRAM及Mobile DRAM三种。一般而言,用于PC/NB上的为标准DRAM;而利基型DRAM多用于液晶电视、数字机顶盒、红光/蓝光播放机等消费型电子与网络通讯相关产品。

什么是eMMC

发布于:2013/7/24 15:56:14 来源:中国闪存市场

eMMC为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格,主要是针对手机产品为主,eMMC采用统一的MMC标准接口,将存储芯片(NAND Flash)及其控制芯片(Controller)封装在一颗BGA芯片内。

东芝Flash颗粒编号信息

发布于:2011/3/23 15:30:59 来源:中国闪存市场

东芝Flash颗粒编号信息

USB 3.0 技术规范的细节

发布于:2010/11/30 17:04:41 来源:中国闪存市场

USB3.0超高速接口的实际传输速率大约是3.2Gbps(即400MB/S)。理论上的最高速率是5Gbps(即625MB/S)。

USB3.0传输速度比较

发布于:2010/11/25 14:13:24 来源:中国闪存市场

USB从1996年USB 1.0到2010年USB 3.0,理论上速度从1.5Mbps大幅提升到最大传输带宽5.0Gbps,也就是625MB/s,速度的提升显然易见。USB3.0兼容USB2.0传输速度,支持USB 2.0的三种传输速度--低速1.5Mbp

USB3.0技术解析

发布于:2010/11/24 17:40:04 来源:中国闪存市场

USB 3.0具有后向兼容标准,兼容USB1.1和USB2.0标准,具传统USB技术的易用性和即插即用功能。USB3.0技术的目标是推出比USB2.0快10倍以上的产品,采用与有线USB相同的架构。

USB 3.0工作原理

发布于:2010/11/24 17:36:11 来源:中国闪存市场

简单来讲,USB3.0技术的核心优势有三:更高速度,向下兼容性,提供更大供电能力。

股市快讯 08-19 17:21

Flash供应商
SamsungKRW44100.00-0.34%
TOSHIBAJPY350.00-0.28%
HynixKRW74500.00-0.27%
MicronUSD47.11+0.02%
IntelUSD47.10-0.15%
WDCUSD64.63-0.66%
UNISCNY44.74-3.58%
SiSTWD9.99+2.06%
主控供应商
PhisonTWD258.50-1.71%
SMIUSD59.97+0.42%
ALCORTWD18.00+0.28%
MarvellUSD19.78-2.42%
ASolidTWD42.15-3.33%
Card/USB 供应商
TranscendTWD74.90-0.13%
A-DATATWD50.70-1.74%
封装厂商
OSETWD10.25-2.38%
PTITWD84.80-0.47%
JCETCNY16.29-0.18%