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什么是HBM?有什么特点!

编辑:Helan 发布:2018-05-22 15:22

HBM(High bandwidth memory)是一款新型的CPU/GPU内存芯片(即“RAM”),就像摩天大厦中的楼层一样可以垂直堆叠。

如何分辨SSD品质的优劣?

编辑:Helan 发布:2018-03-15 12:56

SSD品质的优劣主要取决于NAND Flash颗粒的品质,市面上的NAND Flash颗粒分为四个等级,其品质:原装片 > 自封品牌 > 白片 > 黑片/拆机片/翻新片。

eMCP为何在中低端智能型手机中被广泛应用?

编辑:Helan 发布:2018-03-15 12:46

虽然之前eMCP因为封装尺寸限制,导致大容量无法保证良率,但随着封装工艺的进步,以及原厂技术向3D NAND普及后,单颗Die容量可提高到512Gb,128GB容量eMCP只需2颗Die堆叠,完全可满足手机存储需求,而且三星、美...

SpecTek NAND Flash编号信息_更新

编辑:Helan 发布:2018-03-15 12:17

UFS 3.0最高23.2Gbps的传输速度是为5G手机而生

编辑:Helan 发布:2018-03-13 10:46

固态技术协会(JEDEC)已发布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI)v3.0标准(JESD220D、JESD223D)和UFS存储卡v1.1标准(JESD220-2A)。UFS 3.0引入了HS-G4规

PCIe 4.0正式发布:带宽64GB/s翻番

编辑:Helan 发布:2017-10-26 17:44

PCI-SIG组织正式发布PCIe 4.0规范,版本号v1.0。传输速率定义为16GT/s,比3.0翻番,而下一代的5.0则继续翻番到32GT/s。

USB-IF正式公布USB 3.2规范

编辑:Helan 发布:2017-09-27 11:52

7 月份的时候,有关 USB 3.2 即将到来的报道就已经出来了。与 USB 3.0 / 3.1 相比,尽管 USB 3.2 只是个普通计算机用户没理由去关心的“增量更新”,但它的部分特性还是令人激动不已。

USB 3.2标准公布 - 使用现有线缆,速率提升一倍

编辑:Helan 发布:2017-07-26 12:16

行业技术联盟USB 3.0 Promoter Group今天公布了USB 3.2标准,USB 3.2将替代目前的USB 3.1标准。USB 3.0 Promoter Group 组织包含苹果、惠普、英特尔、微软和其他科技公司。

PCI-E 5.0标准:速度再次翻番达32GT/s

编辑:Helan 发布:2017-06-09 11:23

PCI-SIG标准组织在开发者大会上宣布,已经确定32GT/s为下一代PCI-E 5.0标准架构的传输速度——1GT/s相当于每秒10亿次传输,32GT/s那就是每秒320亿次传输。目前普及的PCI-E 3.0的传输速率为8GT/s,下一代PCI-E 4.

NVMe标准组织公布NVMe 1.3标准

编辑:Helan 发布:2017-05-25 18:39

5月24日NVMe标准组织公布了最新的NVMe 1.3标准,为消费级与服务器带来了许多新功能,与之前的标准更新一样,大多数功能都是可选的,几个新的NVMe功能是基于其他存储接口如eMMC和ATA的现有功能,能帮助NVMe改善现...

关于SSD传输协议:AHCI/NVMe的区别

编辑:Helan 发布:2017-05-17 17:31

SSD(固态硬盘)最为主流的传输协议有两种。一种是AHCI协议,另一种是NVMe协议。

eMMC与UFS规范比较

编辑:Helan 发布:2017-04-11 16:00

随着智能手机的快速发展,对存储容量和性能的要求在不断提高。eMMC5.1虽然基于eMMC 5.0优化提高了传输速度,但并未定义更高的接口传输值,UFS2.0最高传输速度可达到11.6Gbps,是eMMC5.0(400MB/s)的3倍。

eMMC4.41/4.5/5.0/5.1规范比较

编辑:Helan 发布:2017-04-11 15:49

随着智能手机的快速发展,对存储容量和性能的要求在不断提高。eMMC规范已发展到了eMMC 5.1,最大的改变在于速度的提升。

SD最新UHS-III、A2、LVS标准的意义和区别

编辑:Helan 发布:2017-04-07 19:35

为了让移动设备用户能够方便识别适合运行APP的SD卡,SD协会公布新的体系标准,A1分类(APP Performance A1)基于Secure Digital 5.1规格定义,A2标准则是对于SD6/0标准规范的补充说明...

新型DRAM以VLT技术突破刷新限制

编辑:Helan 发布:2016-12-28 15:05

垂直分层闸流体(Vertical Layered Thyristor;VLT),是Kilopass研发出的新型内存单元,能够显著降低动态随机存取内存(DRAM)的成本和复杂性。

股市快讯 更新于: 04-25 08:03,数据存在延时

存储原厂
三星电子78600KRW+4.11%
SK海力士179800KRW+5.15%
美光科技111.78USD-0.60%
英特尔34.50USD+0.64%
西部数据69.55USD-0.53%
南亚科65.5TWD+4.3%
主控供应商
群联电子688TWD+3.93%
慧荣科技73.73USD+1.60%
美满科技64.85USD+1.55%
点序78.8TWD+3.14%
国科微46.31CNY+0.52%
品牌/模组
江波龙98.36CNY+3.76%
希捷科技87.11USD+0.67%
宜鼎国际288TWD+1.41%
创见资讯90.4TWD+1.35%
威刚科技99.5TWD+5.29%
世迈科技17.76USD-0.95%
朗科科技24.42CNY+5.17%
佰维存储46.99CNY+4.33%
德明利121.50CNY+0.55%
大为股份10.55CNY+2.53%
封装厂商
华泰电子62.5TWD+3.99%
力成173TWD+2.37%
长电科技24.38CNY+3.66%
日月光148TWD+2.07%
通富微电19.70CNY+4.12%
华天科技7.50CNY+3.02%