JEDEC固态技术协会宣布发布 JESD79-5C DDR5 SDRAM 标准。JEDEC DDR5 SDRAM标准的这一重要更新包括旨在提高可靠性和安全性并增强从高性能服务器到人工智能和机器学习等新兴技术的各种应用的性能的功能。

CAMM2 规范包括两种变体：一种适用于DDR5，另一种适用于 LPDDR5(X)。

SD协会日前公布SD Express存储卡的最近进展，首次将micro SD Express存储的传输速度提升到了2GB/s，为原来的两倍。并且增加了4个新的SD Express速度等级，以保证在新的SD9.1规范下达到具有保证的最低连续性能。

CFexpress 4.0是一项演进规范，继承了 CFexpress 2.0 的巨大成功，采用行业标准PCI Express® (PCIe) Gen4 总线和 NVM Express (NVMe) 1.4c 逻辑接口，实现更高的性能和高效的 NAND 闪存访问。

在NAND Flash的众多特性里，其中读干扰（Read Disturb）表现为如果对NAND闪存中某个位置进行多次读取，会对同一个块中其它未操作的页造成干扰（数据误码率会越来越高），这种特性的影响程度和读取次数、NAND闪存...

此更新的技术规范扩展了USB4速度和数据协议性能，使制造商能够开发除现有USB 40 Gbps和USB 20 Gbps外，还可以向最终用户提供USB 80 Gbps的产品。

2.0 版惊人的速度归功于已添加到 USB4 的新物理层架构。2.0 版使用了 USB4 Type-C 中内置的现有 40 Gbps 无源电缆，并添加了新定义的 80Gbps USB Type-C 有源电缆以达到 80 Gbps。

AMD、英特尔、美光、Montage、三星和 SK 海力士均已认可JESD79-5A规范引入的DDR5新增功能。

PIM技术指直接在内存中处理数据，而不是把数据从内存读取到CPU中再进行处理。这样可以最大限度地减少数据传输量，帮助克服上述瓶颈。

JESD209-5B 的新 LPDDR5X 组件是一个可选扩展，旨在提供更高的带宽和简化的架构以支持增强的 5G 通信性能，专为从汽车到高分辨率增强现实/虚拟现实和使用 AI 的边缘计算的应用而设计。

三星176层产品与SK海力士和西部数据/铠侠最新产品相比，虽然容量密度并非最优，却在写入性能及I/O速度上较为优异，各家产品各有长短。

未来，CIS 有望发展成为一种支持高级附加功能的信息传感器，而不仅限于提升图像质量。

JEDEC终于正式发布了DDR5（JESD79-5）最终规范，带宽更高，功耗更低，速率较上一代 DDR4翻倍至最高6.4Gbps，工作电压也从DDR4的1.2V降至1.1V，并允许单个内存芯片的容量达到64Gbit，单个服务器LRDIMM内存条最大容...

SDA协会正式发布SD Express存储卡的新一代标准规范SD 8.0，过引入PCIe 4.0总线协议，可获得最高接近4GB/s的传输速度，媲美旗舰级SSD固态硬盘。

JEDEC发布了UFS 3.1规范包含了一些新技术，进一步提高写入速度，还有深度睡眠功能、成本削减、可靠性等，使得UFS存储设备在功能上更接近SSD，大幅度改善用户体验。