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什么是3D NAND?与2D NAND相比有什么优势?

发布于:2018/11/6 12:39:18 来源:中国闪存市场综合整理

3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND),而3D NAND,顾名思义,即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房,那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化,意味着每个...

SSD核心技术FTL算法,对SSD有哪些影响

发布于:2018/10/19 14:52:20 来源:SSDFans

FTL算法的好坏,直接决定了SSD在性能(Performance)、可靠性(Reliability)、耐用性(Endurance)等方面的好坏,FTL可以说是SSD固件的核心组成。

什么是MRAM?

发布于:2018/8/14 18:50:36 来源:中国闪存市场

“MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写

USB3.0快不起来?或是UASP作怪!

发布于:2018/8/13 16:17:20 来源:三星

USB3.0的技术目前已经相当成熟,而且其产品也非常普及,但在使用的过程中,你是否会感觉设备跑起来并没有你想象当中的那么快?

UFS像是手机里的SSD,主控有哪些挑战?

发布于:2018/8/7 15:57:41 来源:中国闪存市场

随着科技的发展,手机已成为当下必不可少的移动设备,其配置从当初的单颗发展到八核甚至是十核,功能也越来越强大,高端旗舰机对存储芯片的标配从eMMC向UFS升级,并开始在千元机机型中普及。

LDPC在SSD中的重要性

发布于:2018/7/25 17:31:49 来源:SSDFans

纠错能力是一个SSD质量的重要指标。最开始的NAND 每个存储单元只放一个bit,叫SLC,后来又有了MLC,现在的主流的是TLC。

LPDDR5、UFS 3.0存储介绍:我们何时能用上?

发布于:2018/7/2 15:16:59 来源:快科技

相较于处理器芯片,存储性能这些年在智能手机上的重要性也开始逐渐凸显。据Android Authority总结,LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存储卡将会成为新一轮旗舰智能机将要占领的技术之制高点。

7.0规范发布:SD Express将存储卡容量拓展至128TB

发布于:2018/6/27 15:44:31 来源:cnBeta

当前128/256GB的存储容量,已经成为了许多旗舰智能机的一个选项。而在一些支持存储扩展的设备上,某些厂商甚至标出了“最大支持 2TB microSD 存储卡”的字样。

SATA 3.4标准正式发布

发布于:2018/6/26 15:56:09 来源:快科技

SATA-IO组织宣布推出最新的SATA Revision 3.4版标准规范,重点引入了设备状态监视、清理任务执行等特性,对性能影响极小。

什么是HMB技术?对SSD有何影响?

发布于:2018/5/31 16:56:04 来源:中国闪存市场

HMB全称Host Memory Buffer,即主机内存缓冲技术,可使得SSD可以在无缓存的情况下,借助内存的高速读写特性来提升自身性能,最终达到与自带缓存SSD鼓旗相当的性能。

股市快讯 04-25 00:33

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