在NAND Flash的众多特性里，其中读干扰（Read Disturb）表现为如果对NAND闪存中某个位置进行多次读取，会对同一个块中其它未操作的页造成干扰（数据误码率会越来越高），这种特性的影响程度和读取次数、NAND闪存...

此更新的技术规范扩展了USB4速度和数据协议性能，使制造商能够开发除现有USB 40 Gbps和USB 20 Gbps外，还可以向最终用户提供USB 80 Gbps的产品。

2.0 版惊人的速度归功于已添加到 USB4 的新物理层架构。2.0 版使用了 USB4 Type-C 中内置的现有 40 Gbps 无源电缆，并添加了新定义的 80Gbps USB Type-C 有源电缆以达到 80 Gbps。

AMD、英特尔、美光、Montage、三星和 SK 海力士均已认可JESD79-5A规范引入的DDR5新增功能。

PIM技术指直接在内存中处理数据，而不是把数据从内存读取到CPU中再进行处理。这样可以最大限度地减少数据传输量，帮助克服上述瓶颈。

JESD209-5B 的新 LPDDR5X 组件是一个可选扩展，旨在提供更高的带宽和简化的架构以支持增强的 5G 通信性能，专为从汽车到高分辨率增强现实/虚拟现实和使用 AI 的边缘计算的应用而设计。

三星176层产品与SK海力士和西部数据/铠侠最新产品相比，虽然容量密度并非最优，却在写入性能及I/O速度上较为优异，各家产品各有长短。

未来，CIS 有望发展成为一种支持高级附加功能的信息传感器，而不仅限于提升图像质量。

JEDEC终于正式发布了DDR5（JESD79-5）最终规范，带宽更高，功耗更低，速率较上一代 DDR4翻倍至最高6.4Gbps，工作电压也从DDR4的1.2V降至1.1V，并允许单个内存芯片的容量达到64Gbit，单个服务器LRDIMM内存条最大容...

SDA协会正式发布SD Express存储卡的新一代标准规范SD 8.0，过引入PCIe 4.0总线协议，可获得最高接近4GB/s的传输速度，媲美旗舰级SSD固态硬盘。

JEDEC发布了UFS 3.1规范包含了一些新技术，进一步提高写入速度，还有深度睡眠功能、成本削减、可靠性等，使得UFS存储设备在功能上更接近SSD，大幅度改善用户体验。

西部数据最新发布的专利披露了一种将NAND闪存和其他例如存储级内存（SCM）存储介质结合在一起、集各家优势配置的混合SSD实现高带宽、低延迟的存储解决方案。

随着数据需求不断增长，对存储的要求也越来越高，如何找到可持续性的存储解决方案已成为许多业者的首要任务。而接口作为计算机内部连接的“大门”，在确定存储系统的性能以及了解不同的迭代方式方面起着至关重要...

日本科学家受到固态锂电池的启发，开发出一种三值(three-valued)存储器，由于电力消耗相当低，不排除成为催生更省电、更快速随机存取存储器(RAM)的触媒。

存储器中的直通硅（TSV）已经成为一种用于容量扩展和带宽扩展的有效基础技术。这是一种在整个硅晶圆厚度上打孔的技术，目的是在芯片的正面到背面形成数千个垂直互连，反之亦然。