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详解NVMe SSD各个硬件的功能和作用

编辑: 发布:2018-11-09 11:39

和磁盘相比,NVMe SSD最大的变化在于存储介质发生了变化。目前NVMe SSD普遍采用3D NAND Flash作为存储介质。NAND Flash内部有多个存储阵列单元构成,采用floating gate或者charge trap的方式存储电荷,通过存

什么是3D NAND?与2D NAND相比有什么优势?

编辑: 发布:2018-11-06 12:39

3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND),而3D NAND,顾名思义,即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房,那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化,意味着每个...

SSD核心技术FTL算法,对SSD有哪些影响

编辑: 发布:2018-10-19 14:52

FTL算法的好坏,直接决定了SSD在性能(Performance)、可靠性(Reliability)、耐用性(Endurance)等方面的好坏,FTL可以说是SSD固件的核心组成。

什么是MRAM?

编辑: 发布:2018-08-14 18:50

“MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写

USB3.0快不起来?或是UASP作怪!

编辑: 发布:2018-08-13 16:17

USB3.0的技术目前已经相当成熟,而且其产品也非常普及,但在使用的过程中,你是否会感觉设备跑起来并没有你想象当中的那么快?

UFS像是手机里的SSD,主控有哪些挑战?

编辑: 发布:2018-08-07 15:57

随着科技的发展,手机已成为当下必不可少的移动设备,其配置从当初的单颗发展到八核甚至是十核,功能也越来越强大,高端旗舰机对存储芯片的标配从eMMC向UFS升级,并开始在千元机机型中普及。

LDPC在SSD中的重要性

编辑: 发布:2018-07-25 17:31

纠错能力是一个SSD质量的重要指标。最开始的NAND 每个存储单元只放一个bit,叫SLC,后来又有了MLC,现在的主流的是TLC。

LPDDR5、UFS 3.0存储介绍:我们何时能用上?

编辑: 发布:2018-07-02 15:16

相较于处理器芯片,存储性能这些年在智能手机上的重要性也开始逐渐凸显。据Android Authority总结,LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存储卡将会成为新一轮旗舰智能机将要占领的技术之制高点。

当前128/256GB的存储容量,已经成为了许多旗舰智能机的一个选项。而在一些支持存储扩展的设备上,某些厂商甚至标出了“最大支持 2TB microSD 存储卡”的字样。

SATA 3.4标准正式发布

编辑: 发布:2018-06-26 15:56

SATA-IO组织宣布推出最新的SATA Revision 3.4版标准规范,重点引入了设备状态监视、清理任务执行等特性,对性能影响极小。

股市快讯 09-16 17:15

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