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英特尔与美光的3D XPoint技术

发布于:2015/8/3 10:39:23 来源:中国闪存市场

3D XPoint由英特尔和美光合作研发及生产,延迟水平以纳秒计算,这远超NAND Flash以微秒计算的延迟水平,除性能指标大幅提升之外,耐用性也将提高1000倍,这也就意味着当前困扰NAND Flash的写入性能下降和闪存耐久...

SpecTek NAND Flash编号信息_最新

发布于:2015/5/13 16:21:02 来源:中国闪存市场

嵌入式存储接口速度的发展

发布于:2014/10/23 15:14:38 来源:中国闪存市场

智能手机、平板机的存储介质目前以eMMC/eMCP为主流存储方案,eMMC将主控制器、NAND Flash颗粒整合到了一个小的BGA封装内,有效的解决了NAND Flash管理问题。随着市场的发展,技术的进步,速度也不断提升。

SK Hynix Mobile DRAM编号信息

发布于:2014/10/11 12:39:27 来源:中国闪存市场

JEDEC通用闪存标准UFS 2.0

发布于:2014/8/29 12:51:31 来源:中国闪存市场

JEDEC固态技术协会发布的通用闪存(UFS)标准2.0版专为需要高性能低功耗的移动应用和计算系统而设计。相比前一版本,新的UFS 2.0版提供更大的链路带宽以提高性能,延伸安全功能,并进一步降低功耗。

3D NAND技术发展现状

发布于:2014/8/5 11:51:53 来源:中国闪存市场

随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩,技术瓶颈越发凸显,3D NAND Flash技术经过几年时间的沉淀,上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光已在2013年公布了3D技术规划的时程表。

eMCP在智能型手机中的应用

发布于:2014/5/26 15:49:38 来源:中国闪存市场

早期智能型手机内嵌存储主流方案为NAND MCP,是将SLC NAND Flash与低功耗 DRAM封装在一起。该方案具有生产成本低、技术相对成熟等优势。NAND MCP目前主要应用在低端的智能型手机产品中。

DDR、DDR2、DDR3产品区别

发布于:2014/5/26 15:28:13 来源:中国闪存市场

DDR采用一个周期来回传递一次数据,因此传输在同时间加倍,因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观,以等效的方式命名,因此命名为DDR 200 266 333 400。

Mobile DRAM产品概述

发布于:2014/4/9 17:27:12 来源:中国闪存市场

DRAM按照产品规格可分为标准型DRAM、利基型DRAM及Mobile DRAM三种。一般而言,用于PC/NB上的为标准DRAM;而利基型DRAM多用于液晶电视、数字机顶盒、红光/蓝光播放机等消费型电子与网络通讯相关产品。

什么是eMMC

发布于:2013/7/24 15:56:14 来源:中国闪存市场

eMMC为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格,主要是针对手机产品为主,eMMC采用统一的MMC标准接口,将存储芯片(NAND Flash)及其控制芯片(Controller)封装在一颗BGA芯片内。

股市快讯 01-21 12:51

Flash供应商
SamsungKRW2466000.00-1.16
TOSHIBAJPY322.00+2.22
HynixKRW73300.00-2.53
MicronUSD42.75-2.82
IntelUSD44.82+0.76
WDCUSD85.60-0.93
UNISCNY65.52+0.52
主控供应商
PhisonTWD306.50-0.65
SMIUSD48.15+2.75
ALCORTWD21.00+0.24
MarvellUSD23.68-0.04
Card/USB 供应商
TranscendTWD83.80+0.60
A-DATATWD74.90+2.32
封装厂商
SPILTWD50.50+0.20
OSETWD9.19-0.97
PTITWD88.80-0.78
JCETCNY18.78+0.97