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嵌入式存储接口速度的发展

编辑:Helan 发布:2014-10-23 15:14

智能手机、平板机的存储介质目前以eMMC/eMCP为主流存储方案,eMMC将主控制器、NAND Flash颗粒整合到了一个小的BGA封装内,有效的解决了NAND Flash管理问题。随着市场的发展,技术的进步,速度也不断提升。

SK Hynix Mobile DRAM编号信息

编辑:Helan 发布:2014-10-11 12:39

JEDEC通用闪存标准UFS 2.0

编辑:Helan 发布:2014-08-29 12:51

JEDEC固态技术协会发布的通用闪存(UFS)标准2.0版专为需要高性能低功耗的移动应用和计算系统而设计。相比前一版本,新的UFS 2.0版提供更大的链路带宽以提高性能,延伸安全功能,并进一步降低功耗。

3D NAND技术发展现状

编辑:Helan 发布:2014-08-05 11:51

随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩,技术瓶颈越发凸显,3D NAND Flash技术经过几年时间的沉淀,上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光已在2013年公布了3D技术规划的时程表。

eMCP在智能型手机中的应用

编辑:Helan 发布:2014-05-26 15:49

早期智能型手机内嵌存储主流方案为NAND MCP,是将SLC NAND Flash与低功耗 DRAM封装在一起。该方案具有生产成本低、技术相对成熟等优势。NAND MCP目前主要应用在低端的智能型手机产品中。

DDR、DDR2、DDR3产品区别

编辑:Helan 发布:2014-05-26 15:28

DDR采用一个周期来回传递一次数据,因此传输在同时间加倍,因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观,以等效的方式命名,因此命名为DDR 200 266 333 400。

Mobile DRAM产品概述

编辑:Helan 发布:2014-04-09 17:27

DRAM按照产品规格可分为标准型DRAM、利基型DRAM及Mobile DRAM三种。一般而言,用于PC/NB上的为标准DRAM;而利基型DRAM多用于液晶电视、数字机顶盒、红光/蓝光播放机等消费型电子与网络通讯相关产品。

什么是eMMC

编辑:Helan 发布:2013-07-24 15:56

eMMC为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格,主要是针对手机产品为主,eMMC采用统一的MMC标准接口,将存储芯片(NAND Flash)及其控制芯片(Controller)封装在一颗BGA芯片内。

东芝Flash颗粒编号信息

编辑:Helan 发布:2011-03-23 15:30

东芝Flash颗粒编号信息

USB 3.0 技术规范的细节

编辑:Helan 发布:2010-11-30 17:04

USB3.0超高速接口的实际传输速率大约是3.2Gbps(即400MB/S)。理论上的最高速率是5Gbps(即625MB/S)。

股市快讯 08-20 13:36

Flash供应商
SamsungKRW44450.00+1.95%
TOSHIBAJPY3175.00+0.47%
HynixKRW76300.00+1.60%
MicronUSD45.01+3.35%
IntelUSD47.23+1.57%
WDCUSD57.25+3.73%
UNISCNY36.07-0.39%
NanyaTWD69.60-2.66%
主控供应商
PhisonTWD295.00+1.37%
SMIUSD33.58+1.85%
MarvellUSD25.17+0.92%
ASolidTWD39.30-0.76%
RealtekTWD216.50+2.61%
GokeCNY29.91+1.25%
品牌/销售
SeagateUSD46.43+0.87%
InnodiskTWD129.50+0.39%
TranscendTWD65.800.00
A-DATATWD49.45+2.17%
SiSTWD8.160.00
封装厂商
OSETWD17.75-0.28%
PTITWD74.50+2.05%
JCETCNY14.98-1.45%
ASETWD69.30+0.87%