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NVMe标准组织公布NVMe 1.3标准

发布于:2017/5/25 18:39:51 来源:NVMe标准组织

5月24日NVMe标准组织公布了最新的NVMe 1.3标准,为消费级与服务器带来了许多新功能,与之前的标准更新一样,大多数功能都是可选的,几个新的NVMe功能是基于其他存储接口如eMMC和ATA的现有功能,能帮助NVMe改善现...

关于SSD传输协议:AHCI/NVMe的区别

发布于:2017/5/17 17:31:59 来源:中国闪存市场

SSD(固态硬盘)最为主流的传输协议有两种。一种是AHCI协议,另一种是NVMe协议。

eMMC与UFS规范比较

发布于:2017/4/11 16:00:30 来源:中国闪存市场

随着智能手机的快速发展,对存储容量和性能的要求在不断提高。eMMC5.1虽然基于eMMC 5.0优化提高了传输速度,但并未定义更高的接口传输值,UFS2.0最高传输速度可达到11.6Gbps,是eMMC5.0(400MB/s)的3倍。

eMMC4.41/4.5/5.0/5.1规范比较

发布于:2017/4/11 15:49:38 来源:中国闪存市场

随着智能手机的快速发展,对存储容量和性能的要求在不断提高。eMMC规范已发展到了eMMC 5.1,最大的改变在于速度的提升。

SD最新UHS-III、A2、LVS标准的意义和区别

发布于:2017/4/7 19:35:19 来源:中国闪存市场

为了让移动设备用户能够方便识别适合运行APP的SD卡,SD协会公布新的体系标准,A1分类(APP Performance A1)基于Secure Digital 5.1规格定义,A2标准则是对于SD6/0标准规范的补充说明...

新型DRAM以VLT技术突破刷新限制

发布于:2016/12/28 15:05:10 来源:eettaiwan

垂直分层闸流体(Vertical Layered Thyristor;VLT),是Kilopass研发出的新型内存单元,能够显著降低动态随机存取内存(DRAM)的成本和复杂性。

SSD Trim 详解

发布于:2016/7/25 18:08:50 来源:中国闪存市场

Trim命令使SSD的垃圾回收效率更高,写性能,寿命也就相应得到了提高。

UFS存储卡与传统的Micro SD卡的区别

发布于:2016/7/22 10:53:31 来源:中国闪存市场

三星推出一款容量高达256GB全新的UFS存储卡,其读取速度上完全碾压现有Micro SD(TF卡)闪存卡。有不少人认为未来UFS存储卡将会取代TF卡的“江湖地位”。

三星3D V-NAND 32层 VS 48层

发布于:2016/6/29 15:18:40 来源:ZDNet

三星公司已经开始量产其48层(即单NAND内48层单元,属于第三代升级技术)3D V-NAND芯片,预计其将被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企业级SSD(PM1633a)等SSD产品。

SpecTek NAND Wafer/Die 编号信息

发布于:2016/6/16 17:25:55 来源:中国闪存市场

股市快讯 05-26 09:46

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