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PCIe 5.0规范今年制定:速率再翻倍 128GB/s带宽

发布于:2019/1/21 15:20:45 来源:超能网

PCIe推进组织PCI-SIG批准了PCIe 5.0的0.9版规范,这意味着离正式版规范不远了。通常来说,在0.4版规范时厂商可以开始设计终端产品,0.9版规范时会发布产品。

USB Type-C规格及认证解决方案解析

发布于:2019/1/4 11:46:42 来源:中国闪存市场综合整理

近日USB Implementers Forum(USB标准组织,简称USB-IF)宣布推出USB Type-C认证计划,该计划为USB Type-C充电器和设备带来基于加密的认证。新项目将使设备能够阻止接入未经认证的USB充电器。主设备可以在插入电...

如何从美光NAND Flash编码分辨品质

发布于:2019/1/3 16:23:01 来源:中国闪存市场

各家原厂NAND Flash命名规则各不相同,通过对产品编码的解读可对芯片品质了解更多。本文整理了部分美光NAND Flash编码以供参考。

NVMe规格新增管理接口标准 支持远程带外管理

发布于:2019/1/3 14:59:00 来源:中国闪存市场综合整理

NVMe(NVM Express)接口正在成为带内(in-band)主软件(host software)与PCIe SSD间通讯的产业标准,新增NVMe管理接口(NVMe-MI),定义管理NVMe存储的架构与指令集,支持以带外(out-of-band)方式

影响NVMe SSD性能的三大因素:硬件、软件和客观因素

发布于:2018/11/12 11:15:52 来源:架构师技术联盟

NVMe SSD 厂商Spec给出的性能非常完美,前面也给出了NVMe SSD和磁盘之间的性能对比,NVMe SSD的性能的确比磁盘高很多。但在实际应用过程中,NVMe SSD的性能可能没有想象中的那么好,并且看上去不是特别的稳定,找...

详解NVMe SSD各个硬件的功能和作用

发布于:2018/11/9 11:39:03 来源:架构师技术联盟

和磁盘相比,NVMe SSD最大的变化在于存储介质发生了变化。目前NVMe SSD普遍采用3D NAND Flash作为存储介质。NAND Flash内部有多个存储阵列单元构成,采用floating gate或者charge trap的方式存储电荷,通过存

什么是3D NAND?与2D NAND相比有什么优势?

发布于:2018/11/6 12:39:18 来源:中国闪存市场综合整理

3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND),而3D NAND,顾名思义,即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房,那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化,意味着每个...

SSD核心技术FTL算法,对SSD有哪些影响

发布于:2018/10/19 14:52:20 来源:SSDFans

FTL算法的好坏,直接决定了SSD在性能(Performance)、可靠性(Reliability)、耐用性(Endurance)等方面的好坏,FTL可以说是SSD固件的核心组成。

什么是MRAM?

发布于:2018/8/14 18:50:36 来源:中国闪存市场

“MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写

USB3.0快不起来?或是UASP作怪!

发布于:2018/8/13 16:17:20 来源:三星

USB3.0的技术目前已经相当成熟,而且其产品也非常普及,但在使用的过程中,你是否会感觉设备跑起来并没有你想象当中的那么快?

股市快讯 02-17 18:24

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