| 名称 | 容量 | NAND Flash | 连续读取 | 连续写入 |
|---|---|---|---|---|
| UFS 4.0 | 256GB | 3D TLC | 4300 MB/s | 4000 MB/s |
| UFS 4.0 | 512GB | 232层 3D TLC | 4300 MB/s | 4000 MB/s |
| UFS 4.0 | 1TB | 232层 3D TLC | 4300 MB/s | 4000 MB/s |
美光首款符合UFS 4.0标准的存储设备预计将在今年即将推出的旗舰智能手机、平板电脑和超低功耗笔记本电脑中使用。
美光UFS 4.0存储设备提供256GB、512GB 和1TB三种容量选择，采用自研低功耗控制器。其中512GB和1TB UFS 4.0产品采用美光232层六平面1Tb 3D TLC NAND，可提供高达4,300 MB/s的顺序读取速度以及高达4,000 MB/s的顺序写入速度。而256 GB版本速度稍慢，因为它使用四平面3D NAND。
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