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美光发布最新技术路线,NAND Flash和DRAM将会有何变化?

编辑:Helen   发布:2019-05-24 10:02

5月23日,在美光投资者大会上,美光展示了其对NAND Flash和DRAM产业的看法,以及美光下一代技术的发展以及规划。

美光是全球DRAM和NAND Flash芯片供应商,在全球分别排名第三和第四的位置,在最新的2019年Q2财季中,美光DRAM业务大约占整体营收的64%,而NAND Flash营收大约占了30%。

美光在投资者大会上介绍到,其核心技术研发是在美国的爱达荷州基地,其Fab工厂产能分布在全球各地,其中日本主要用于生产DRAM,新加坡主要生产NAND Flash,创新的3D Xpoint是在美国犹他州,封装是在台湾完成,美国Virginia满足汽车市场需求。

美光认为,DRAM产业面临三大挑战:第一,Wafer Gb当量显著增长的挑战;第二,技术转换节点所出现的成本与最终的收益挑战;第三,资本支出的强度持续增加。

在DRAM方面,美光将持续推进1Znm DRAM技术,将基于该先进技术推出16Gb LPDDR4。在1Znm技术之后,向下发展还有1α、1β、1γ,在从1Znm到1γ技术的过程中,美光将持续评估EUV工艺DRAM的成本效益,在合适的时候用上EUV。

值得注意的是,美光在2018年认为至少在1α及1β工艺之前不会用到EUV,但为何在2019年会评估EUV的使用呢?业内人士猜测,可能主要是因为2019年DRAM价格大跌,使得产品利润受到挤压,再加上NAND Flash需求和价格也都在下滑,美光需要提高产量和性能,来降低成本。

在NAND方面,美光3D技术已经历了三代,目前是第三代96层3D NAND,下一代将向128层3D NAND发展,是64+64层的结构。为了使NAND Flash在性能、容量、尺寸等方面持续发挥其优势,美光在128层3D NAND技术将从Floating Gate浮栅向栅极技术(Replacement Gate)过渡,并继续使用阵列下的CMOS架构。

美光表示,NAND Flash技术从2D向3D发展,驱动Wafer GB量大幅度增加,64层3D NAND技术之后,也就是下一代128层3D NAND技术,主要聚焦在RG((Replacement Gate))技术的过渡,NAND Flash容量增加和成本降低的速度放缓。

美光认为,在云、企业、游戏、IOT、汽车、移动、PC等市场,客户对产品要求高带宽、高性能、低功耗 ,这是持续对企业技术、产品的挑战。

点击即可下载 Micron Technology Update May 2019完整报告

企业信息
公司总部
公司名称:
美光科技有限公司
地点:

爱达荷州博伊西

成立时间:
1978年
所在地区:
美国
联系电话:
2083684000

中国公司
公司名称:
美光中国
地点:

深圳福田区金田路安联大厦4018号B座10F

所在地区:
中国
联系电话:
+86-755-8347-4560

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