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5月21日美光与英特尔公司共同宣布基于64层的业界首款商用3D QLC（4bits/cell） NAND产品开始生产和出货。新的QLC NAND技术可以达到单Die 1Tb的存储密度，这是目前业界最高密度的闪存产品。

相比目前三星、东芝、美光、SK海力士基于64层3D NAND TLC单颗Die容量一般可达到512Gb，美光64层3D NAND QLC容量增加了一倍。

新的64层QLC NAND技术能够在较小的空间中实现更密集的存储，从而为读取密集的云存储应用带来显著的成本优势。它也非常适合于消费类市场的客户端计算机存储应用，提供成本优化的存储解决方案。

美光采用QLC NAND技术的SSD开始出货

美光采用QLC NAND技术的SSD(5210 ION)开始对战略合作伙伴的客户出货，预计今年秋季将会扩大供货。

5210 ION采用2.5inch规格形态，容量提供1.92TB - 7.68TB等，美光未来将基于QLC NAND进行更多技术创新，提供更大的容量产品，扩大产品组合。

目前三星、东芝、西部数据等SSD新品主要是基于64层3D TLC NAND技术，采用的单颗Die容量为256Gb或512Gb。美光采用64层QLC技术推出的5210 ION系列SSD将有更低的成本、更高的容量，满足AI、大数据、商业智能、内容交付和数据库系统等读取密集云存储需求。

美光第三代96层3D NAND的研发进展

美光还宣布了第三代96层3D NAND的研发进展，新一代96层3D NAND在原有的64层3D NAND技术基础上层数增加了50%。技术的进步可使美光生产出世界最高密度NAND Flash芯片，以及保证在市场上的领先地位。

64层QLC和96层TLC NAND利用阵列下的 CMOS (CuA) 设计，通过减少芯片尺寸以及提升性能从而获得市场竞争力。英特尔与美光联手打造的NAND Flash可以并行地写入和读取更多的单元格，从而为系统应用提供更快的吞吐量和更高的带宽。

英特尔和美光曾表示第三代3D NAND技术的开发将于2018年年底或2019年初交付，两家公司已经同意在这一技术节点之后，双方将独立开发3D NAND，以便更好地为各自的业务需求优化技术和产品，预计英特尔和美光96层3D NAND将可在2019下半年实现量产。

美光技术开发执行副总裁Scott DeBoer 表示：“随着64层QLC NAND技术的引入，与TLC相比，阵列密度提升了33%，为我们成功推出业界首款商用1Tb芯片奠定了基础，未来美光将继续96层3D NAND技术的创新，在更小的空间达到更多的数据存储密度，为负载工作和应用程序提供更好的解决方案。”

英特尔非易失性存储器技术副总裁RV Giridhar 表示：“1Tb QLC的商业化是NVM发展史上重要的里程碑，技术和设计的创新使得我们3D NAND技术能力进一步扩展成为可能。QLC在密度和成本方面的优势将成为数据中心和客户端存储中的亮点。”