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Samsung 4GB eMMC转UPA评测报告

测试日期:2013-11-19 编号:T13110754

种类:嵌入式存储 品牌:三星
适用领域: 智能手机功能手机

  • 型号:KLM4G1FE3A-A001
  • PName:USB Flash Disk
  • PCB料号:PCP0001X0504
  • 容量:4GB
  • MP Tool:V1.0.1.2
  • PCB版本:PUD2-TU301 V2.00

测品介绍

Samsung型号为KLM4G1FE3A-A001的eMMC嵌入式存储产品,存储容量为4GB,eMMC产品测试将转成UPA的形式进行,测试内容包含数据匹配测试、读写速度测试,功耗测试等,其中读写速度测试使用多种软件测试,包含HDBENCH软件测试,CrystalDiskMark 3.0.1软件测试,H2Test软件测试等。

测试环境

RSDN-109

华硕P5G41T-M LX3

E6700@3.2G

346G

WinXP+SP3

RSDN-110

华硕P5G41T-M LX3

E6700@3.2G

346G

RSDN-127

华硕P5G41T-M LX3

E6700@3.2G

346G

RSDN-128

华硕P5G41T-M LX3

E6700@3.2G

346G

 

测试内容

1
数据匹配测试

测试结果:

1、7片样品进行H2test匹配测试均7片OK。

抽7片样品拷贝大小不同类型文件,安全拔插后对比原文件测试均OK。(另抽取5片满容量样品,反复5次拷贝大小不同类型文件,安全拔插后对比原文件测试均OK.)

2、抽4片,编号按照:先拷入不同文件----匹配-----删除文件-----查看容量----格式化-------查看容量------安全退出------上盘查看容量,反复测试10次均OK。

3、2片样品反复4小时拷贝5000个小文件匹配测试没有出错,后H2test测试均OK。

2
读写性能测试

测试结果:

1.HDBENCH软件测试

 

2、CrystalDiskMark 3.0.1软件测试

 

3、H2Test软件测试

 

4、Ready boost 测试

3
电流功耗测试

测试结果:

样品

PC待机电流

待机电流

写电流

读电流

容量

2#

——

33mA

78-82mA

88-89mA

3.71GB

3#

——

32mA

79-82mA

88-89mA

4#

——

33mA

75-81mA

88-89mA

4
常温BurnIn测试

测试结果:

常温Burnin测试:BurnIn test File size:1.0%

 

编号

容量

主板芯片组

Burn-IN时间

cycle

Error()

备注

1#

3.71GB

P5G41T-M LX3

        13h19m

2753

0

Default数据

2#

P5G41T-M LX3

    13h19m

2763

0

Default数据

3#

P5G41T-M LX3

    13h19m

2756

0

Default数据

4#

P5G41T-M LX3

    13h19m

2765

0

Default数据

4片样品Burn-in都没有出错,3#4#样品还在继续长途老化中。

评测细节图