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专访|市场竞争激烈,得一微坚持自主创新,2018下半年放大招!

来源:中国闪存市场  编辑:Helan   发布时间:2018-07-12 11:34

在经过2年时间缺货和涨价后,2018年3D NAND产能倾巢而出,同时国际原厂、国内企业等建厂动作频频,且下一代96层3D NAND技术竞争加剧。然而,不仅仅是上游原厂竞争激烈,主控厂之间的竞争也是硝烟四起,在NAND Flash市场供需博弈下,得一微电子将如何应对原厂技术的变化,怎么看待后市发展,以及遇到哪些机遇和挑战?

注:得一微电子(YEESTOR)是国内专注存储控制芯片设计的主控厂,由硅格半导体与立而鼎科技于2018年4月合并成立。

问:2018年3D NAND快速普及,得一微电子如何应对原厂技术变化,以及怎样看待下一代QLC和96层技术发展?

以前VS现在,技术的进步

得一微电子市场总监罗挺表示,2018年原厂三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士等3D NAND产出比重都已超过50%,并且不同程度的普及到SSD、UFS、eMMC、Micro SD、U盘等闪存产品上。得一微电子紧跟原厂技术的发展,坚持自主研发且不断提升技术实力,对于2D NAND,BCH纠错码长已从24Bit提高到72Bit,对于3D NAND的发展,ECC纠错技术向LDPC升级帮助客户由2D向3D过渡,且纠错码长可以达到1KB、2KB,且正在开发4KB,不断提高ECC纠错技术。

受访人 | 得一微电子市场总监,罗挺

对于3D NAND技术的发展,罗挺表示,目前原厂主力量产64层/72层 3D NAND,英特尔还推出了QLC架构的64层3D NAND,下一代则是96层3D NAND,2020年是128层,2022年将升级到144层。但随着堆叠层数的增加,以及4bit架构QLC的应用,使得3D NAND稳定性、可靠性等受到影响,得一微电子通过强化控制芯片技术加强3D NAND性能,保证质量和品质。同时,得一微电子已支持英特尔64层QLC NAND(N18A),并已经完成了美光96层3D NAND(B27A)的调试。由于原厂96层3D NAND还未大量供货,预估2019年才会有产品面世。

问:2018年原厂扩大3D NAND产出,导致市场价格持续下滑,得一微电子怎么看后市发展,市场有哪些机会点?

对产业发展的前瞻性和预见性

2018上半年NAND Flash市场供应相较于前两年缺货的情况明显改善,甚至有些供应过剩。据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价显示,2018上半年NAND Flash综合价格指数累计下滑高达35%,已回到2016年涨价时的价位。此外,三星、东芝/西部数据、美光、SK海力士等均加大投资规模新建工厂,给后续市场的发展增加了变数。

对于市场行情的变化以及未来行情的发展,得一微电子市场总监罗挺认为,原厂目前64层3D NAND良率已从过去的50%提高到80%以上,这导致市场NAND Flash供应大幅增加,而市场需求对NAND Flash的消耗量每年大约增长40%,从而让市场供需关系从缺货向供需平衡,部分市场略显过剩的行情转变,这也是导致价格下滑的主因,预计未来NAND Flash仍将持续缓跌的趋势。

受访人 | 得一微电子市场总监,罗挺

不过,正是因为2018上半年价格下滑,SSD价格已回到涨价前并跌破了历史低点,SSD价格降至甜蜜点有助于2018下半年需求的增加,罗挺预计2018年全球SSD市场出货量将有望达到1.8亿颗-2亿颗,相较于2017年增长20%以上。

另一方面,全球手机市场虽然出货增量有限,但旗舰机容量基本从64GB起跳,甚至出现TB级容量的手机,将大量消耗NAND Flash产能,同时大容量需求会推动UFS在千元机上的应用增加,抢占更多eMMC的市场份额,得一微电子看到了SSD和手机市场的机会。

问:在SSD市场和嵌入式市场,得一微电子有哪些产品规划?

开拓市场,产品技术与发展

2018年不仅仅原厂在QLC、96层3D NAND新技术,投资扩产等方面竞争激烈,SSD主控厂之间竞争也是硝烟四起。除了Marvell、慧荣、群联等主控厂跟进QLC和96层3D NAND技术外,得一微电子将在Q4推出自主研发的新一代支持96层和64层QLC的PCIe SSD和UFS2.1控制芯片,以及寻找在工业级、军用、汽车等市场上的应用机会,开拓市场。

得一微电子丰富且多元化的产品线

据得一微电子市场总监罗挺介绍,得一微电子与Flash原厂保持紧密的联系,产品性能、品质、可靠性是首要考量基准,定位于主流的消费类市场。目前产品线包括嵌入式存储eMMC 5.X控制芯片YS8293EN/YS8293,SATA SSD控制芯片YS9083XT/YS9081XT和PCIe SSD控制芯片YS9201,通用存储USB3.1控制芯片YS7081/YS5081和USB2.0控制芯片YS1583/YS1581,SD控制芯片,以及安全存储控制芯片等。

得一微电子最新控制芯片产品参数列表

来源:中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com

更值得注意的是,得一微电子将在2018下半年推出新一代SSD、UFS、eMMC、SD控制芯片, 其中PCIe SSD控制芯片YS9203采用28nm工艺,支持PCIe Gen3X4接口,相较于上一代YS9201支持PCIe Gen3x2,具有更高的传输速度,UFS控制芯片YS8803则支持UFS2.1规范协议,采用LDPC纠错技术,两款芯片都将在Q4量产。另外,eMMC 5.X控制芯片YS8295和SD控制芯片YS6295/YS6285将都在Q3量产。

得一微电子大波控制芯片新品来袭,不仅全面支持各家原厂64层TLC,还支持英特尔64层QLC(N18A),而且PCIe SSD控制芯片YS9203已完成了美光96层B27A的调试,SD控制芯片更是全球首个支持LDPC纠错技术,不仅体现了自主研发的能力,更是引领应用发展的趋势。

问:中国大力发展存储产业,得一微电子如何满足本土市场需求?

中国企业,自主研发的决心和信心

中国是全世界唯一拥有联合国产业分类中全部工业门类的国家,2018年中美贸易战持续升温,中兴事件等影响,凸显出中国在尖端制造方面关键技术的匮乏。得一微电子市场总监罗挺认为,中美贸易战是短暂的,而作为一个中国企业,从中兴事件中受到启发,深知企业供应链安全的重要性,得一微电子坚持技术自主创新,可以在供货安全上给客户提供另一个选择的机会。 

罗挺还表示,得一微电子也做好了长期技术竞争的准备。2018年4月硅格半导体主导与立而鼎科技合并成立得一微电子,并获得A轮3亿人民币融资。两家都属于存储主控企业,拥有相同的eMMC产品线,加上硅格半导体的USB和SD产品线,得一微电子产品线将更加多元化,可实现客户一站式服务和多方位定制化服务。同时,得一微电子的团队达到170人,服务客户也从主要的大陆市场扩展至台湾地区,以及美国、韩国、新加坡、印度等。

另外,得一微电子所获得的3亿人民币融资也都将重点用在PCIe SSD控制芯片的研发上,未来团队将扩大至200-300人。得一微电子已实现了从50nm过渡到40nm,在2018下半年即将发布的PCIe SSD控制芯片YS9203采用的是28nm,这也是Marvell、慧荣、群联等主流的工艺技术,未来规划16nm工艺的PCIe 4.0的SSD产品线,且保持持续投入的状态。

企业信息
公司总部
公司名称:
得一电子
地点:

深圳市南山区高新区科技南十二路长虹科技大厦606-608室

成立时间:
2007年
所在地区:
中国深圳
联系电话:
(+86-755) 8885 2296

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