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Samsung

三星一直处于创新的最前沿，致力于钻研创新性技术，不断推出新产品，迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位，而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力，承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。 [更多介绍]

2011-11-10

南韩媒体报导，三星电子计划明年在研发和设备上投资38兆韩元（339亿美元），比今年预估的30兆韩元高出27%。三星发言人拒绝评论这则报导。

2011-10-28

今(2011)年第3季(7-9月)半导体部门合并营收年减11%至9.48兆韩元，略高于前季的9.16兆韩元；合并营益年减15.3%至1.59兆韩元，低于前季的营益1.79兆韩元；营益率达16.8%，低于前季的19.6%与去年同期的32.1%。三星指出，7-

2011-10-28

三星电子(Samsung Electronics) 2011年第3季财报仍未发布，但韩国业界预测三星系统芯片(System LSI)半导体事业营收会超过3兆韩元(约26.61亿美元)门槛，不仅打败营收约26.26亿美元的DRAM部门，更遥遥领先营收约18.

2011-10-07

外电报导，三星电子(Samsung Electronics Co.)7日公布第3季(7-9月)初步财报：营益为4.2兆韩元(34.9亿美元)，较去年同期的4.86亿美元下滑13.6%；营收年增1.9%至41兆韩元

2011-09-29

全球内存龙头厂三星电子宣布，成功研发30奈米制程4Gb LPDDR3(Low Power Double Date Rate 3)，技术制程大幅领先同业1-2个世代。

2011-09-29

韩国半导体大厂三星电子今日于台北举行第八届年度三星行动解决方案论坛，并宣布推出5款全新科技与装置，为次世代行动应用程序带来更强化的解决方案。

2011-09-27

据报导，三星电子(Samsung Electronics) 2012年在系统芯片的投资额将高于存储器芯片，这是三星展开半导体事业后，首度出现对系统芯片的投资规模大于存储器事业的情况。三星计划将系统LSI事业也培育成一流的事业。

2011-09-26

据韩国电子新闻报导，三星电子(Samsung Electronics)会长李健熙出席16产线20纳米半导体启动生产典礼时，提及三星应全力以赴，因应半导体业界随时可能掀起的巨浪。而每当李健熙提出危机论时，总是能使三星集团出现新的变化。

2011-09-23

三星电子(Samsung Electronics)打造号称全球最大的存储器晶圆厂，并开始量产20纳米世代的DDR 3 DRAM存储器，华尔街日报(WSJ)称此举将不利于台厂。

2011-09-22

三星电子 (005930-KR) 周四宣布，设在南韩的 NAND 快闪记忆芯片新厂正式投入营运。该公司同时表示，已启动 20 奈米级制程的 DDR3 DRAM 量产，可望提高生产效率并降低能源消耗。

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