Samsung
由全球半导体大厂三星电子举办的「行动解决方案年度论坛」于今(22)日在台登场，三星电子半导体社长权五铉也将亲自来台主持，代理商热衷出席原厂活动，似乎也颇有巩固料源的意味。
美国国际贸易委员会(International Trade Commission)将对总部位在宾州的BTG International提出的快闪记忆体专利侵权案展开调查，BTG表示三星电子(Samsung Electronics)盗用该公司所研发出的多个专
DDR3价格涨翻天，直逼2美元水平，DDR2价格也逐渐掌声响起，内存业者透露，近期三星电子(Samsung Electronics)态度开始转变，原本担心台、美、日DRAM厂整合成功，因此打压DDR2价格， 但近期内部评估台湾整合案已不会再有新意，没有再压
7月21日三星电子宣布已经开始量产40纳米2Gb DDR3 Dram。这是该级别产品全世界首次进入量产。同时该产品比去年九月量产的50纳米产品拥有更高的量产性。
Thomson Reuters 17日引述南韩媒体电子媒体ETnews报导，三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)计画于2009年下半年在一座半导体厂房投入至少1兆韩圜(7.9亿美元)，主要将推出更多先进的制程技术，如40奈
韩国三星电子发布了采用45nm低功耗CMOS工艺技术的应用处理器“S5P6440”。其特点是图形性能高、功耗及成本低等。适用于PND等家电产品
IT巨头三星电子的股价昨日创造了一个月以来的新高。此前该公司预测，第二季度运营利润有望比上季增长5倍
韩国三星公司宣布已经向部分客户提供了mini SSD硬盘样品，根据介绍这款mini SSD将可以在上网本市场上得到广泛应用。
全球记忆体晶片龙头三星及欧美记忆体大厂恒亿周三宣布，将联手发展相变化记忆体(phase change memory，PCM)产品。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
Samsung 3D TLC ADGS0F 2018-03-14
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星UFS2.0系列 2015-02-26
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三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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