美光强调,美光目前全球产能布局原则,是仅提升制程技术,即提升存储产品容量,而不增加晶圆投片,也就是说,晶圆总数与产品数量均不会改变,只是产品容量增加。
美光加大在台湾地区的投资,要在现有中科厂区旁兴建二座晶圆厂生产DRAM,总投资额达4000亿新台币。
BusinessLine和ElectronicsB2B报导,美光准备扩大其位于印度海德拉巴的投资,将目前聘雇的500名研发人力于未来几年内增聘至2,000人。
美光科技宣布开始大规模生产1Znm 16Gb DDR4产品。与上一代1Ynm制程相比,美光的1Znm 16Gb DDR4产品可提供更高的密度,显着的增强性能以及更低的成本。
美光推出业界首款使用1z nm技术,容量高达 16Gb的 LPDDR4X。同时提供基于UFS多芯片封装的uMCP4,功耗更低能有效延长电池寿命,有更小的尺寸能够应用于更薄的外形设计。
美光14日举行新加坡Fab 10A厂扩建完成启用典礼,正式宣布新工厂将在2019下半年开始生产。新Fab 10A工厂是从2018年开始新建,主要用于生产3D NAND。
美光14日宣布完成新加坡NAND Flash厂Fab 10A扩建。此外,美光亦将加码在台湾DRAM厂投资,台中厂扩建生产线可望在年底前落成。
美光将发行总价值17.5亿美元的优先票据,用以支付给英特尔就收购IM Flash剩余股权事宜。
美光科技公司宣布任命汽车行业执行官MaryAnn Wright为其董事会成员,她将带来巨大的价值,为我们在汽车制造领域,提供高价值解决方案巩固了领先地位。
美光作为DRAM行业的龙头,但是在工艺进度上一直比较稳健,称得上是精打细算,10nm工艺上面更是玩出花样,其中1xnm已经十分成熟,1ynm目前正在扩充产能,生产对象有12Gb LPDDR4X、16Gb DDR4颗粒等。
爱达荷州博伊西
深圳福田区金田路安联大厦4018号B座10F
Micron 232层NAND 2022-07-27
Micron 3D TLC B95A 2019-05-09
Micron 3D TLC B27A 2018-03-14
Micron 3D TLC B27B 2018-03-14
Micron 3D TLC B0KB 2018-03-14
Micron DDR5 DRAM 2020-01-06
Micron DDR4 DRAM 2016-01-26
Micron 2500 NVMe SSD 2024-04-17
Micron 3500 NVMe SSD 2023-12-05
Micron 7500 NVMe SSD 2023-10-17
Crucial T700 PCIe Gen5 SSD 2023-05-30
Micron 6500 ION NVMe SSD 2023-05-17
Crucial DDR5 Pro Memory 2023-05-17
Crucial DDR4 Pro Memory 2023-05-17
Micron DDR5 Part Catalog 2020-01-06
Micron UFS 4.0 2023-10-30
Micron车用UFS3.1 2020-06-01
Micron e·MMC 5.0系列 2015-11-25
Micron e·MMC4.5系列 2014-07-16
Micron MCP系列 2013-07-20
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2