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据媒体报道，美光计划于2024年初开始大量出货HBM3E存储产品，并透露NVIDIA是该产品的主要客户之一。

美光执行长Sanjay Mehrotra在财报会议上指出，美光HBM3E目前正在获得NVIDIA运算芯片认证。美光称一直在与NVIDIA密切合作，高频宽HBM3 Gen2产品预计于2024年上半在NVIDIA即将推出的人工智慧及高效运算绘图芯片中亮相。

规格方面，HBM3E采用1β制程节点，可带来更快的速度和更密集的容量。首批HBM3E采用8-Hi设计，提供高达24GB容量和超过1.2TB/s频宽，每瓦性能是上一代的2.5倍。

同时，美光不会停止基于8-Hi 24Gbit的HBM3E发展进程。美光宣布，继开始量产8-Hi 24GB堆叠后，计划于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆叠。