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美光已向美国商务部提出资金申请，为其位于爱达荷州首府波伊西(Boise) 和纽约州的存储芯片制造厂申请资金补贴及投资税收抵免。

去年8月，美国总统拜登签署《芯片法案》，为美国半导体生产和研究提供527亿美元的补贴。

美光去年9月表示，到2032年，该司将在爱达荷州首府波伊西的工厂投资约150亿美元，到2030 年，该投资将创造1.7万个就业机会。

同年10月，美光宣布计划在未来20多年内投资高达1000亿美元，在纽约克莱建造一座新的巨型工厂，计划在本十年末完成第一阶段投资 200 亿美元。美光在纽约奥农达加县的投资将补充该公司之前宣布的爱达荷州博伊西的大批量制造工厂。美光将根据其可持续发展目标设计、建造和运营该设施。该场地最终可能包括四个 600,000 平方英尺的洁净室，总共 240 万平方英尺的洁净室空间——大约相当于 40 个美国足球场的大小。

美光在纽约的超级工厂是其战略的一部分，该战略旨在在未来十年将美国制造的领先 DRAM 产量逐步提高到公司全球产量的 40%。场地准备工作将于 2023 年开始，建设将于 2024 年开始，生产量将在本世纪后半叶逐步增加，以符合行业需求趋势。