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存储器技术创新不断!三星、东芝、WD、慧荣在各领域寻求突破

编辑:Helan 发布:2019-03-15 19:13

因应5G手机、物联网设备、SSD等存储需求的增长,三星、东芝、西部数据、慧荣等在各领域寻求突破,包括在3D NAND、次时代存储器技术、SSD等方面。

在3D NAND技术方面,为了稳固领先的市场地位,三星已正在着手第6代(128层)V-NAND技术的研发,本周传西部数据和东芝已开发出128层512Gb 3D TLC NAND裸片,将被命名为BiCS5。长江存储也计划在2020年跳过96层3D NAND,直接进入128层堆叠,期望快速缩短与三星、东芝等国际大厂之间的技术差距。

128层相较于96层在层数再增加33%,将具有更大的容量和更低的成本。不过,要实现128层3D NAND的量产,以及在市场上普及,却要花费1 -2年的时间,预计在2020年底才会实现量产,2021年供应逐步增加,将满足智能型手机、平板、SSD等对大容量存储的需求。

在SSD市场,继Marvell发布支持16TB的88SS1088 SSD控制芯片后,慧荣也发布了最新企业级SATA SSD主控SM2271,支持3D TLC/QLC NAND,8通道,最大支持16TB容量,最大顺序读写速度可达540MB/s、520MB/s。另外,控制芯片厂群联在1月发布的全球首款NVMe SSD控制芯片PS5016-E16支持PCIe Gen4 x4,其接口理论速度高达64Gbps,将于2019年Q3开始供货,推动更高性能的SSD面世。

另外,在5G、物联网、汽车等技术的发展,以及对存储提出更高要求,一系列新兴的存储器技术不断涌现,不断寻求突破和可持续性发展,但仍有很多技术难点需要攻克,比如:成本、低功耗、容量、兼容性等方面。

西部数据正在开发一种新的Low Latency Flash(LLF)技术,将比普通的3D NAND速度更快,延迟更低,但低于DRAM速度,成本介于两者之间。这与英特尔Optane 3D XPoint和三星的Z-SSD的定位非常相似,未来展开激烈竞争在所难免。

三星已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品,该产品基于28nm FD-SOI工艺技术,将提供1Gb EMRAM产品。MRAM一种非易失性的磁性随机存储器,此外还有eFlash、EEPROM、eMRAM、eRRAM、ePRAM等次世代存储器,能够用于通用微控制器(MCU)、物联网、工业、消费类电子、汽车等,提升数据保存的能力。

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