存储器技术创新不断！三星、东芝、WD、慧荣在各领域寻求突破

因应5G手机、物联网设备、SSD等存储需求的增长，三星、东芝、西部数据、慧荣等在各领域寻求突破，包括在3D NAND、次时代存储器技术、SSD等方面。

在3D NAND技术方面，为了稳固领先的市场地位，三星已正在着手第6代（128层）V-NAND技术的研发，本周传西部数据和东芝已开发出128层512Gb 3D TLC NAND裸片，将被命名为BiCS5。长江存储也计划在2020年跳过96层3D NAND，直接进入128层堆叠，期望快速缩短与三星、东芝等国际大厂之间的技术差距。

128层相较于96层在层数再增加33%，将具有更大的容量和更低的成本。不过，要实现128层3D NAND的量产，以及在市场上普及，却要花费1 -2年的时间，预计在2020年底才会实现量产，2021年供应逐步增加，将满足智能型手机、平板、SSD等对大容量存储的需求。

在SSD市场，继Marvell发布支持16TB的88SS1088 SSD控制芯片后，慧荣也发布了最新企业级SATA SSD主控SM2271，支持3D TLC/QLC NAND，8通道，最大支持16TB容量，最大顺序读写速度可达540MB/s、520MB/s。另外，控制芯片厂群联在1月发布的全球首款NVMe SSD控制芯片PS5016-E16支持PCIe Gen4 x4，其接口理论速度高达64Gbps，将于2019年Q3开始供货，推动更高性能的SSD面世。

另外，在5G、物联网、汽车等技术的发展，以及对存储提出更高要求，一系列新兴的存储器技术不断涌现，不断寻求突破和可持续性发展，但仍有很多技术难点需要攻克，比如：成本、低功耗、容量、兼容性等方面。

西部数据正在开发一种新的Low Latency Flash（LLF）技术，将比普通的3D NAND速度更快，延迟更低，但低于DRAM速度，成本介于两者之间。这与英特尔Optane 3D XPoint和三星的Z-SSD的定位非常相似，未来展开激烈竞争在所难免。

三星已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品，该产品基于28nm FD-SOI工艺技术，将提供1Gb EMRAM产品。MRAM一种非易失性的磁性随机存储器，此外还有eFlash、EEPROM、eMRAM、eRRAM、ePRAM等次世代存储器，能够用于通用微控制器(MCU)、物联网、工业、消费类电子、汽车等，提升数据保存的能力。