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三星宣布量产第二代10nm级16Gb LPDDR4X移动DRAM，适用于旗舰智能手机及其他移动应用，可在提高效率的同时降低功耗。与目前最流行的旗舰移动设备（1xnm 16Gb LPDDR4X）中使用的移动DRAM相比，第二代LPDDR4X DRAM可在保证4,266 Mb/s传输速率的同时将功耗降低10%。

通过将4颗10nm级16Gb LPDDR4X DRAM芯片（16Gb= 2GB）封装在一起，三星研发了8GB LPDDR4X移动DRAM，其数据传输速率可达34.1GB/秒，封装厚度较前代产品减少20%，有利于OEM厂商设计厚度更薄性能更好的移动设备。待LPDDR4X产能提高后，三星将推出4GB、6GB和8GB LPDDR4X等高容量产品，扩大移动DRAM市场份额。

三星存储销售和市场营销部高级副总裁Sewon Chun表示：“10nm级移动DRAM的出现将为下一代旗舰型移动设备提供最佳解决方案，使用10nm级16Gb LPDDR4X移动DRAM的手机将在2018年年底或2019年首季投放市场。三星将继续扩大高性能、高容量、低功耗DRAM产品阵容，满足市场需求，增强三星市场竞争力。”

三星计划将基于1ynm的高端DRAM产品阵容扩大70%，这项倡议始于2017年11月10nm级8GB DDR4服务器DRAM规模量产，并延续至今日推出的16Gb LPDDR4X移动存储芯片。

三星已经在韩国平泽工厂投入新的DRAM生产线，以确保所有移动DRAM芯片的稳定供应。