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三星宣布量产96层V-NAND,2019年1Tb容量将成主流

来源:中国闪存市场  编辑:Helan   发布时间:2018-07-10 15:58

三星终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片,声称其堆叠层数超过90层,可能指的是其96层,制造生产率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口,可拥有更高的传输速度。

另外,三星新的V-NAND效能与64层3D NAND相当,主要是因为其工作电压从1.8V降低至1.2V,而且更快的数据读写速度,较上一代提高30%。三星新技术推出的256Gb V-NAND数据存储速度达到1.4Gbps,相较于64层3D NAND提高40%。

三星Flash产品和技术执行副总裁Kye Hyun Kyung表示,三星第五代V-NAND堆叠层数在90层以上,将加快提供先进的第五代V-NAND产品解决方案满足快速增长的市场。

三星还将推出容量高达1Tb和QLC V-NAND,将继续推动下一代存储解决方案的发展。三星将迅速扩大第五代V-NAND生产,以满足广泛的市场需求,因为先进的技术将推动高存储密度在智能型手机、超级计算机、企业服务器等市场应用。

除了三星,东芝和西部数据早在2017年7月就宣称已经成功开发出96层3D NAND和QLC技术,若采用QLC架构单颗Die容量可以达到1Tb。2018年东芝和西部数据加码投资Fab6工厂生产所需的设备,用于量产96层3D NAND,计划在下半年开始量产。继东芝和西部数据之后,美光和英特尔宣布量产64层3D NAND,由于基于QLC架构,所以单颗Die容量可以达到1Tb,同时开始给合作伙伴送样96层3D NAND。

在原厂技术快速发展下,2018年64层3D NAND已是主流技术,容量256Gb、512Gb,广泛用于SSD产品中,随着技术的进一步发展,且主控厂Marvell、慧荣、群联等纷纷针对QLC和96层3D NAND技术进行控制芯片的调整,预计2019年96层将成为各家原厂的主流技术,且推动1Tb容量快速在市场上应用,迎来大容量需求爆发。

企业信息
公司总部
公司名称:
三星电子
地点:

韩国京畿道城南市盆唐区书岘洞263号三星广场大厦

成立时间:
1938年
所在地区:
韩国
联系电话:
4008105858

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