三星平泽厂5月再添DRAM产线 全力冲刺产能捍卫半导体王座
编辑:Helan 发布:2018-01-22 12:322017年三星电子(Samsung Electronics)半导体事业屡屡刷新业绩,高达65兆韩元(约612亿美元)的营收更助三星一举超越英特尔(Intel),荣登全球半导体业界龙头宝座,相关部门员工奖金高达月薪的400%。
据韩媒朝鲜日报报导,位于三星华城厂区旁的高耸建筑物落成于2017年4月,是三星设备解决方案研究所(DRS),聚集众多研发人才,为三星半导体事业蓄积能量。目前有1.3万名硕博士研发人员与2000名辅助人力,共1.5万人在DRS办公室内工作。
三星重视技术竞争力,但先进制程研发愈来愈困难,内部不断鼓舞士气,希望寻求新突破。近期聚焦开发具有低功耗、高速存取特性的MRAM,以及石墨烯(graphene)与黑磷(black phosphorus)等新材料的相关应用,并且持续招募研发人才。
2017年7月三星在平泽工厂一楼生产先进的64层3D NAND,计划在二楼增设DRAM产线,最快2018年5月就能量产DRAM。业界认为三星电子积极扩大存储器产能,为的是提防2018年下半年大陆业者进入市场。
三星除了积极扩大存储器产量,确保市场上的领先地位之外,也积极发展晶圆代工事业,将其视为半导体领域的新成长动力。但晶圆代工市场上有强劲对手台积电,无法轻易取得突破。
三星相关人士表示,2017年底动工的华城晶圆代工新厂将采用全球最先进的极紫外光(EUV)设备,可将半导体电路间距由10纳米缩小到7纳米,生产出性能优异的芯片,藉此逐步扩大市场影响力。