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三星电子开足马力发展晶圆代工事业，周三(5月24日)誓言要领先群雄，跟台积电一较长短的企图心相当浓厚。

图右三星半导体业务总裁Kinam Kim，左为半导体事业经理ES Jung

三星24日在年度晶圆代工论坛上宣布，要在8nm、7nm、6nm、5nm、4nm和18nmFD-SOI(depleted silicon-on-insulator)制程取得领先。

根据ExtremeTech、SemiEngineering等多家外电报导，三星除打算在今(2017)年稍晚让8nm LPP (Low-Power Plus)制程进入风险性试产(Risk Production)、明年率先采纳极紫外线(EUV)科技推出7nm LPP制程外，还计划在2020年让首款环绕式闸极结构(Gate All Around，GAA)FET 4nm制程进入投产期。这是首度有晶圆代工厂公开讨论GAA FET制程技术的时间表。

三星说，EUV技术能够减少制程步骤、降低成本并拉升芯片的表现效能。另外，18nm FD-SOI制程则会在2019年问世。

三星晶圆事业Samsung Foundry的晶圆代工行销部资深主管Kelvin Low指出，采用EUV系统后，三星每天可制造1,200片硅晶圆，未来产量还会进一步增加。

Semico Research制造业主管Joanne Itow说，所有的大型晶圆代工厂都在忙着找出最适用于物联网(IoT)、虚拟实境、医疗等新兴应用的制程技术，因此厂商也决定投入全部的制程。今年客户希望有不同选择，而同样的事也发生在台积电身上，业者必须不断推陈出新。

Itow还表示，过去三星只想针对某个特定制程进行研发、确保每一项产品都能成功推出，但现在三星的策略转变，开始多方面尝试，显然是希望能藉此扩充晶圆代工事业营收。

三星已在5月12日进行组织结构重整，晶圆代工确定分拆成独立单位，其半导体事业也将从原先存储器与系统LSI双组织结构分拆成三支。晶圆代工自立门户，有助于争抢更多代工订单。