传三星西安厂明年量产3D NAND Flash 月产70万片
编辑：Helan 发布：2014-11-11 10:43三星电子(Samsung Electronics)挽救下滑业绩，全力冲刺半导体，传将力拼固态硬盘(SSD)事业。该公司拟在SSD采用3-bit V-NAND Flash存储器技术，提升存储效能，未来中国西安厂也会加入3-bit V-NAND Flash芯片的量产行列。
据报导，3-bit V-NAND Flash存储效能更胜于平面(planar)NAND Flash，用于SSD可提升表现、价格也更有竞争力。三星上月初已在首尔近郊的华城厂(Hwaseong)量产3-bit V-NAND Flash，但是由于华城主要生产平面NAND Flash， V-NAND芯片每月产量不到10万片。
为提高3-bit V-NAND Flash供应量，据了解三星中国西安厂也着手准备量产，外界预期西安厂会在明年5、6月投产。西安厂每月生产30万-40万片V-NAND芯片，产能全开时，产量可增至70万片。
目前全球仅有三星有能力量产3D V-NAND Flash，外界认为三星技术领先对手两年。该公司预定明年发表搭载3-bit V-NAND Flash的SSD。
IHS Technology预估，今年三星SSD销售将年增60%至32.77亿美元，市占率可从去年的26%增至29%，稳居冠军。IHS认为亚军是SanDisk、市占率为19%，接着是英特尔(Intel)的18%，东芝(Toshiba)的9%、美光(Micron Technology)的8%。
韩联社报导，三星电子(Samsung Electronics)10月9日宣布量产业界首见的3-bit 3D存储器V-NAND Flash芯片，可用于SSD硬盘，提升存储效率。
新品每个存储单元(cell)皆可存储3 bit数据，之前3-bit技术仅用于平面(planar)NAND Flash，如今拓展用途，使用于3D V-NAND Flash。新款3-bit 3D芯片采用第二代V-NAND技术，垂直堆栈32层，整合程度比24层芯片高出30%。
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