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三星电子28日发布新闻稿宣布，该公司已开始量产业界首见的高阶3D V-NAND，这种存储器采用32个垂直堆叠的的平面细胞层，是该公司第二代V-NAND。

三星的32层3D V-NAND(又称Vertical NAND)比起前代的24层设计需要较为高阶的堆叠技术，但生产效率却较高、主因该公司能运用与第一代相同的V-NAND设备来进行制造。

除此之外，三星最近也刚发表了运用第二代V-NAND架构的高阶SSD，并有128GB、256GB、512GB以及1TB的存储容量让顾客选择。三星去(2013)年推出资料中心专用的3D V-NAND SSD之后，目前正在将应用范围拓展至高阶PC。

与平面的MLC NAND SSD相较，全新3D V-NAND SSD对资料写入拥有两倍耐受度、耗电量更低了20%。

根据科技市调机构Gartner的预估，2017年全球存储器销售额有望从755亿美元攀升至797亿美元，其中NAND在2017年的销售额更将达446亿美元、市占率超过50%。