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三星收购MRAM芯片厂Grandis 海力士可能受影响?

编辑:Helan   发布:2011-08-03 11:11
三星电子(Samsung Electronics) 宣布收购美国次世代存储器芯片STT-MRAM开发公司Grandis,然而Grandis与韩半导体大厂海力士(Hynix)有技术合作关系,因此三星收购Grandis对海力士是否造成影响也格外受瞩目。
海力士相关人员3日表示,海力士2008年4月开始与Grandis共同执行MRAM开发企画,合作3年多,近来企画合作已结束。三星收购Grandis目前尚未对海力士造成影响。
此外,他也表示,在与Grandis共同开发的过程中,已充分取得可将MRAM商用化的必要授权,而Grandis与海力士共同开发前就持有的专利技术,海力士也能不支付权利金继续使用。
MRAM可用较目前存储器芯片低的电力驱动,且即使不供电也能储存信息,同时拥有非挥发性存储器的优点及稳定性。此外,MRAM也可突破半导体制程技术界限,呈现10纳米以下制程。
Grandis的非挥发性存储技术是DRAM(动态随机存取存储器)和NAND闪存未来的竞争者,芯片能耗更低,性能更高。但是,目前大规模制造MRAM芯片的成本过高。
三星称,Grandis将被整合到研发部门中。三星相关研发部门“专注于开发新一代存储技术,评估新型半导体材料和结构的长期商业价值”。
三星和Grandis没有披露这一交易进一步的详细资料。Grandis成立于2002年,有约25名员工,尚未发售一款产品。
Grandis业务发展副总裁亚历克斯·德利斯科尔-史密斯(AlexDriskill-Smith)表示,通过去年与HynixSemiconductor达成的开发协议,该公司生产出了首款54纳米芯片。Grandis预计,未来5年该公司的生产工艺将发展到20纳米,甚至更先进。
Grandis的MRAM技术比传统技术更先进。传统MRAM芯片的工艺一直是99纳米。
据德利斯科尔-史密斯称,与廉价的NAND闪存芯片相比,MRAM芯片写数据的能耗要低得多,“MRAM在许多方面要好于NAND闪存,NAND闪存芯片在改变每个存储位的状态时需要15伏至20伏的电压,需要的时间量级为微秒,甚至达到毫秒”。
海力士与Grandis合作关系结束后,7月与日本东芝(Toshiba)决定设立合作法人,共同开发及生产MRAM,加速MRAM的商用化作业。
另一方面,三星7月底收购了持有MRAM原创技术的美商Grandis。三星相关人员表示,无法透露收购花费金额和持股比例等细项,目前也仍未决定收购后是否进行合并。
企业信息
公司总部
公司名称:
三星
地点:

韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号

成立时间:
1969年
所在地区:
韩国
联系电话:
+82-31-209-7114

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