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SK海力士4D 96层 NAND宣布量产,后期产能或将持续扩大

来源:中国闪存市场  编辑:Helen   发布时间:2018-11-05 09:25

SK海力士推出基于TLC阵列的全球首款96层512Gb CTF 4D 闪存芯片,采用3D CTF (Charge Trap Flash)设计,搭配PUC(Peri.Under Cell)技术。SK海力士将在今年内开始初步量产96层4D 闪存。单个512Gb 闪存芯片相当于64GB存储。

SK海力士首次将3D CTF与PUC技术结合在一起,这种技术与将3D浮栅和PUC集成的方式有所不同。采用这种技术可获得业界最好的性能和产能。SK海力士将该产品命名为“基于CTF的4D 闪存芯片”,以区别于当前的3D 闪存技术。

与SK海力士72层512Gb 3D 闪存相比,4D 闪存芯片尺寸减少了超过30%,每片wafer的bit生产率提高了49%。写入速度提高30%,读取性能提高25%。此外,数据带宽增加一倍,可达业界最大的64KB。随着多栅极绝缘体结构的引入,在1.2V工作电压下,其数据I / O速度可达1,200Mbps。

今年8月,SK海力士已经宣布将通过各种4D 闪存应用来提高解决方案的市场竞争力。

最重要的是,凭借96层512Gb 4D 闪存,SK海力士将在今年推出搭配自家控制器和固件的1TB消费级SSD。企业级固态硬盘将于2019年下半年推出。SK海力士还将在2019年上半年推出UFS 3.0,以响应高密度移动设备市场。此外,SK海力士还将于2019年推出超高密度96层1Tb TLC和QLC。

SK海力士闪存营销主管J.T. Kim 表示:“最新推出的基于96层CTF的4D 闪存具有业界最高的成本竞争力和性能,将成为公司闪存芯片业务的里程碑,我们计划在今年内开始大规模量产,并进一步扩大M15工厂产能,以积极响应客户和市场的需求。”

企业信息
公司总部
公司名称:
SK 海力士
地点:

韩国京畿道利川市

成立时间:
1983年
所在地区:
韩国
联系电话:
82316304114

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