紫光DRAM事业群总部和生产基地落户重庆，2021年建成投产

8月27日，重庆市与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。根据协议，紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司和重庆紫光集成电路产业基金，建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂、紫光科技园等。

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根据计划，紫光重庆DRAM存储芯片制造工厂计划于2019年底开工建设，预计2021年建成投产。在此之前，紫光集团已在6月份宣布组建DRAM事业群，委任刁石京为紫光集团DRAM事业群董事长，委任高启全为紫光集团DRAM事业群CEO。

从DRAM存储芯片制造工厂，到DRAM事业群总部，再到紫光云（南方）总部等，紫光在重庆的重大布局，在推动智能产业“补链成群”，推动经济社会高质量发展上，具有十分重要的战略意义。

与此同时，紫光也在积极推进3D NAND的发展，填补中国在核心技术和市场上的空白。在3D NAND技术上，长江存储研发的Xtacking技术，已导入到64层3D NAND中，并计划年内正式量产。日前，紫光集团首次公开展示了长江存储64层NAND Flash Wafer，这是长江存储第二代64层3D NAND，每片晶圆可以切割出超过1000颗裸芯片。

△ 64层3D NAND晶圆

为了强化3D NAND生产规模化，由紫光参与投资总额达240亿美元的武汉存储基地从2017年开始建设，工厂可以实现每月15万片的产能。2018年又启动了武汉新芯基地二期工厂的建设，预计到2023年，总产能可达30万片，2030年跃升至100万片，成世界级存储器生产基地。此外，还有正在新建的紫光集团紫光南京集成电路基地和紫光成都存储器制造基地，都是重要存储器生产基地。

从整个布局来看，在存储领域，紫光正在从技术研发、制造生产、产品销售等环节加强布局，同时也通过全球化的合作扩大业务，再加上紫光自身产业链资源，新华三、紫光存储、紫光展锐等公司的配合，将可快速推进存储芯片国产化的落地，赢得市场。