尽管日本原材料限制，但三星对存储芯片的生产依然未停歇

三星电子上周五表示，尽管最初担心由于日本对高科技材料的贸易限制可能导致生产线中断，但为全球客户大规模生产的高端存储芯片的计划依然在按计划进行，并未受到影响。

上周，三星宣布推出新款企业级PCIe 4.0 SSD PM1733和高密度DIMMs，采用512Gb TLC V-NAND，U.2接口最大容量可达30.72TB，HHHL形态最大容量可达15.36TB。

三星还为AMD EPYC 7002系列处理器提供了完整的RDIMM和LRDIMM DRAM产品系列，使用8Gb和16Gb DDR4的组件架构，可提供8GB到256GB的DIMM容量。

8月6日，三星推出了第六代V-NAND，这是继其推出90层以上V-NAND后仅13个月所推出的新一代V-NAND，还将批量生产周期缩短了4个月。

三星已经开始批量生产250GB SATA SSD，采用的是第六代（1xx层）256Gb TLC V-NAND，还计划从2020年开始在韩国平泽工厂扩大第六代V-NAND生产，以更好地满足全球客户的需

据Blocks＆Files报道称，三星第六代V-NAND可能是136层，三星第七代V-NAND将超过200层，第十代将可超过5xx层。三星V-NAND计划图如下：

· V1 - 2013年7月24层和2013年8月128Gb MLC
· V2 - 2014年8月32层和128Gb TLC
· V3 - 2015年8月48层和256GB TLC
· V4 - 2016年12月64层和256GB TLC
· V5 - 2018年5月9x层和256GB TLC
· V9 - 2019年6月1xx层和256Gb TLC
· V7 - 2xx层和512Gb Die
· V8 - 3个堆栈的3xx层
· V9 - 4xx层
· V10 - 5xx层

据市场观察人士称，三星V-NAND发展计划尚未受到日本贸易限制的影响。

在日本出口管制之后，三星加强了对主要业务显示器、电池和其他零件业务，特别是半导体业务的监管。与此同时，三星副董事长李在庸还探访了位于京畿道平泽市的存储工厂，以检查生产线的运营情况。