编辑:Helen 发布:2019-06-14 09:36
三星暂定2019年11月开始量产采用EUV技术的1znm DRAM,量产初期将在华城17产线,不过由于与晶圆代工事业部共享EUV设备,所以初期使用量不大,之后平泽工厂也会启动EUV DRAM量产。
三星这一举措可助力降低DRAM生产成本,提高市场竞争力。自2019年以来,消费类NAND Flash价格跌幅高达30%,持续下滑的市场价格给存储厂商带来了不少困扰,再加上近日DRAM市场也陷入杀价战,让企业运营再现危机。
另一方面,三星、美光等在2019上半年宣布DRAM技术向1znm工艺发展,下半年将陆续进入量产阶段,然而随着制程的微缩,导致DRAM良率低下,出现瑕疵品的几率增加,若采用EUV设备,可提高DRAM良率。
EUV制程采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻,相较于将蚀刻液喷洒在半导体表面,利用蚀刻液与半导体基底化学反应的DUV,蚀刻的各向异性明显改善,对于精确度要求较高的集成电路,EUV使电路分辨率和良率得到极大提升。
荷兰光刻机大厂ASML曾表示,2017年下半到2018年初,EUV光刻机每小时晶圆吞吐量约125片,而ASML即将在下半年出货的新一代EUV光刻机,芯片吞吐量已经可以达到每小时170片水准,这将使产能增加36%。
ASML计划在2019年出货30台EUV光刻机,同时正准备将NXE 3400C EUV光刻机推广到DRAM产业,这与DRAM原厂想法不谋而合。
三星在2019年3月宣布开发出第三代10纳米级1znm 8Gb双倍数据速率的DDR4,9月即将启动第三代10纳米级1znm DRAM的量产,在不使用EUV设备下,1znm较1ynm DRAM的产能提高20%,速度与功耗表现亦有所提升。
三星计划2019年11月开始量产采用EUV技术的1znm DRAM,采用EUV技术的区间是1个Bitline Pad(BLP),后续计划在1a制程增加到4个、1b制程增加到5个,逐渐扩大EUV技术生产的区间。
除了三星,美光计划将在2019年底在日本广岛B2新工厂量产1znm LPDDR4,在1znm工艺以后,还将有1αnm、1βnm、1γnm细微化的工艺,所以美光也在评估使用EUV设备带来的DRAM成本效益。SK海力士也有意以EUV制程生产DRAM,积极发展技术。
存储原厂 |
三星电子 | 77000 | KRW | +0.92% |
SK海力士 | 177500 | KRW | +4.04% |
美光科技 | 111.58 | USD | -0.18% |
英特尔 | 35.11 | USD | +1.77% |
西部数据 | 69.44 | USD | -0.16% |
南亚科 | 65.5 | TWD | -0.15% |
主控供应商 |
群联电子 | 713 | TWD | +2.44% |
慧荣科技 | 72.93 | USD | -1.09% |
美满科技 | 67.48 | USD | +4.06% |
点序 | 78.1 | TWD | 0% |
国科微 | 48.70 | CNY | +2.25% |
品牌/模组 |
江波龙 | 100.25 | CNY | +2.46% |
希捷科技 | 87.26 | USD | +0.17% |
宜鼎国际 | 286 | TWD | +1.06% |
创见资讯 | 91.1 | TWD | +1.11% |
威刚科技 | 99.8 | TWD | +1.11% |
世迈科技 | 18.49 | USD | +4.11% |
朗科科技 | 25.74 | CNY | +3.33% |
佰维存储 | 52.46 | CNY | +6.63% |
德明利 | 103.20 | CNY | +10.00% |
大为股份 | 11.35 | CNY | +2.99% |
封装厂商 |
华泰电子 | 63 | TWD | +0.64% |
力成 | 174 | TWD | +0.58% |
长电科技 | 25.16 | CNY | +3.50% |
日月光 | 143.5 | TWD | -1.03% |
通富微电 | 20.84 | CNY | +4.15% |
华天科技 | 7.84 | CNY | +3.02% |
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