三星叫板3nm超车，台积毫不示弱：有信心保持领先地位

日前，三星宣布其3nm Gate-All-Around（GAA）技术正在开发中，将于2021年量产，将成为赢得与英特尔(Intel)和台积电竞争的利器。

对此，台积电发言人表示，不对竞争对手的技术发展做任何评论，强调台积电绝有信心在7nm、5nm，甚至3nm制程持续维持全球领先地位。

据半导体业界人士分析，三星在7nm制程远远落后台积电，尚未在5nm站稳脚跟，就急于想在3nm切入GAA晶体管设计架构，似乎有点操之过急。

在7nm发展期间三星就曾经对外放话，将通过率先导入极紫外光（EUV）微影设备，超车台积电，并分食苹果新处理器大单，但终究未能如愿，最后因芯片效能差台积电一大截，苹果仍将A12处理器订单全数给台积电。

台积电于2018年率先量产导入EUV紫外光刻技术的7nm制程，有消息称台积电已独家抢下苹果A13订单，4月份已经完成了A13处理器初阶试产，计划最早将在5月份开始大规模量产。并推出6nm制程全数衔接原采用7nm制程的客户。若有些客户要导入极紫外光微影设备 ，台积电也推出7nm强化版因应这些客户要求。