功耗降50％，性能升35％！三星3nm GAA 2021年量产

在三星晶圆代工技术论坛(Samsung Foundry Forum)上，三星表示其3nm Gate-All-Around（GAA）技术正在开发中，3nm GAE PDK版本0.1已于4月发布，旨在帮助客户尽早开始设计工作，提高设计竞争力，同时缩短周转时间。

GAA技术能重新塑造芯片核心晶体管，使其更小更快。2021年采用GAA技术的芯片问世时，将成为三星与英特尔(Intel)和台积电竞争的利器。

与7nm技术相比，三星3GAE工艺可在将芯片面积减少45％，功耗降低50％，性能提高35％。基于GAA的工艺技术有望在下一代应用中广泛采用，例如移动，网络，汽车，人工智能（AI）和物联网。

三星的进步将延长摩尔定律的适用期，至少在未来几年内，消费者可期待出现更好的绘图处理技术、更智能的人工智能和其它运算方面的改进。

三星晶圆代工业务营销副总裁Ryan Lee表示，GAA标志着三星代工业务进入新时代。三星正在改进7nm制程，但GAA将让三星将电路缩小到3nm。首批3nm移动芯片将于2020年进行测试，2021年量产。而效能更高的芯片，如GPU和资料中心的AI芯片的3nm版本应会在2022年量产。

Lee预测，GAA改进将实现2nm制程。之后将是1nm的未来技术。他确信将有低于1nm的新技术，虽无法确定是什么样的结构，但肯定会出现。

三星最新的路线图包括四种基于FinFET的工艺，从7nm到4nm，采用极紫外（EUV）技术以及3nm GAA或MBCFET™。

在今年下半年，三星计划开始批量生产6nm工艺器件并完成4nm工艺的开发。

三星5nm FinFET工艺的产品设计于4月开发，预计将于今年下半年完成，并于2020年上半年开始量产。