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台积电完成全球首颗3D IC封装技术,预计2021年量产

来源:经济时报 编辑:Helan 更新:2019/4/22 14:36:26

台积电完成全球首颗3D IC封装技术,预计2021年量产。业界认为,台积电3D IC封装技术主要为未来苹果新世代处理器导入5nm以下先进制程,整合人工智能(AI)与新型内存的芯片预作准备,有望持续独揽苹果大单。

4月16日,三星宣布完成5nm FinFET工艺开发,台积电则推出了6nm(N6)工艺,都将利用EUV光刻,在2020年开始投产。

业界认为,台积电正式揭露3D IC封装迈入量产时程,意味全球芯片后段封装进入真正的3D新纪元,台积电进入先进制程后,将结合先进后段封装技术,对未来接单更具优势,将持续维持业界领先地位。

先进封装近来被视为延伸摩尔定律的利器,透过芯片堆栈,大幅提升芯片功能。台积电这几年推出的CoWoS及整合扇出型封装(InFO),就是因应客户希望一次到位,提供从芯片制造到后段封装的整合服务。

台积电强调,CoWoS及整合扇出型封装(InFO)仍是2.5D IC封装,为了让芯片效能更强,芯片业花了相当的时间,开发体积小、功能更复杂的3D IC,这项技术需搭配难度更高的硅钻孔(TSV)技术,以及晶圆薄化、导电材质填孔、晶圆连接及散热支持。

尽管台积电未透露合作开发对象,业界认为,3D IC封装技术层次非常高,主要用来整合最先进的处理器、数据芯片、高频内存、CMOS影像传感器与微机电系统(MEMS),一般需要这种技术的公司,多是国际知名系统厂。以台积电技术开发蓝图分析,苹果应该是首家导入3D IC封装技术的客户。

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