编辑:Helan 发布:2018-11-09 09:12
10纳米级DRAM先进制程竞争逐渐升温,三星电子在2017年率先宣布量产第二代10纳米(1y)制程DRAM,目前传出进入第三代10纳米(1z)制程开发。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不断加速先进制程研发速度,追赶三星,预计2019年起将陆续展开第二代10纳米(1y)制程DRAM量产。
据韩媒News 1的报导,SK海力士预计2018年底前,完成第二代10纳米(1y)制程开发,2019年起投入1y纳米制程DRAM量产。目前SK海力士大陆无锡厂,正在进行无尘室扩建工程,预计2018年底完工后,就可开始建立1y纳米制程量产体系。
SK海力士从2018年起正式投入第一代10纳米(1x)制程量产,上半年1x纳米DRAM制程比重占所有DRAM产品的20%以上。业界认为SK海力士10纳米级DRAM制程比重,在2019年的比重将超过半数。
美光也传出将从2018年底左右导入1y纳米制程量产。美光2018年初已开始量产1x纳米制程DRAM,年底可望进入1y纳米制程初步生产阶段,2019年正式量产1y纳米制程DRAM,2020年计划进入1z纳米制程。
业界认为,从20纳米进入1x制程已相当不容易,接下来的10纳米级1y及1z制程就更为困难,如何在转换至更先进制程的同时确保量产效率,成为关键。
面对SK海力士及美光在10纳米级DRAM制程上的全速追赶,DRAM龙头三星,正全力拉大与追兵的领先差距。2017年11月三星率先宣布量产1y纳米制程的服务器DRAM,2018年7月又将1y纳米制程用于Mobile DRAM。
三星相关人士表示,2018年底三星10纳米级DRAM产品比重,将占全体DRAM产品的70%以上,以投入晶圆为基准,目前10纳米1x制程比重已经超过一半,三星掌握市场主导权,领先竞争对手1年左右,预计2019年可完成第三代10纳米(1z)制程开发。
此外,10纳米以下的次世代DRAM,三星计划导入极紫外光(EUV)设备制程。稍早2018年2月起,三星平泽厂,已开始着手建立EUV专用生产线,以目前施工进度来看,最快2019年上半,就可陆续移入生产设备,并且可望于2019下半年或2020年初进入试产阶段。
另一方面,DRAM市场最近不断传出负面看法,加上中美贸易战不断扩大战火,DRAM市场前景笼罩不安,再加上Q4是传统的淡季,未来价格持续走跌的可能性相当大。此外,三星及SK海力士也曾预测,认为2018年Q4至2019上半年,DRAM市场需求的成长走势将出现钝化。
存储原厂 |
三星电子 | 76700 | KRW | +0.52% |
SK海力士 | 177800 | KRW | +4.22% |
美光科技 | 114.84 | USD | +2.92% |
英特尔 | 31.88 | USD | -9.20% |
西部数据 | 71.36 | USD | +2.76% |
南亚科 | 65.7 | TWD | +0.15% |
主控供应商 |
群联电子 | 710 | TWD | +2.01% |
慧荣科技 | 73.35 | USD | +0.58% |
美满科技 | 69.62 | USD | +3.17% |
点序 | 77.6 | TWD | -0.64% |
国科微 | 48.61 | CNY | +2.06% |
品牌/模组 |
江波龙 | 97.81 | CNY | -0.03% |
希捷科技 | 86.04 | USD | -1.40% |
宜鼎国际 | 286.5 | TWD | +1.24% |
创见资讯 | 91.4 | TWD | +1.44% |
威刚科技 | 99.1 | TWD | +0.41% |
世迈科技 | 18.34 | USD | -0.81% |
朗科科技 | 26.05 | CNY | +4.58% |
佰维存储 | 51.53 | CNY | +4.74% |
德明利 | 100.60 | CNY | +7.23% |
大为股份 | 11.23 | CNY | +1.91% |
封装厂商 |
华泰电子 | 62.9 | TWD | +0.48% |
力成 | 173 | TWD | 0% |
长电科技 | 25.17 | CNY | +3.54% |
日月光 | 142.5 | TWD | -1.72% |
通富微电 | 21.12 | CNY | +5.55% |
华天科技 | 7.87 | CNY | +3.42% |
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