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国际大厂及长江存储3D NAND最新进展:96层和QLC初露锋芒

来源:中国闪存市场 编辑:helen 更新:2018/8/10 13:04:07

近期,三星、东芝/西部数据、英特尔/美光、SK海力士,以及长江存储均发布了其创新技术和战略规划。总结各家原厂技术发展,2018下半年目标是进入64层QLC NAND和96层TLC NAND量产阶段,2019年推进96层QLC NAND技术发展,使得3D NAND单颗容量向1Tb以上迈进。

随着3D NAND技术的快速发展,可以预见QLC将会取代TLC,犹如TLC取代MLC一样,而3D NAND单颗Die容量的不断翻倍增长,将推动消费类SSD向4TB迈进,企业级SSD向8TB升级,QLC SSD将扛起取代HDD的大旗。

三星开始量产96层3D NAND和64层QLC的SATA SSD

作为NAND Flash市场的领先者,三星早在2013年就开始投入3D NAND,2018年三星已开始大规模生产第五代96层V-NAND,相较于上一代64层V-NAND,生产率可提高30%以上。目前三星基于96层推出的是256Gb V-NAND,数据存储速度提高40%达到1.4Gbps,之后会基于QLC架构推出高达1Tb容量的V-NAND。

此外,三星也已大规模生产基于QLC SATA SSD,基于64层单颗Die 1Tb QLC(4-bit)V-NAND,新的QLC SSD搭载了32颗芯片,最高容量高达4TB,具有TLC SATA SSD一样的性能水平,提供540MB/s的读取速度和520MB/s的写入速度,3年质保。

东芝/西部数据量产96层3D TLC NAND,QLC将在2019年初量产

东芝和西部数据早在2017年就宣称已成功研发出96层和QLC技术,2018上半年加大Fab6工厂设备投资,以及建新工厂Fab7,下半年宣布量产96层3D TLC NAND,以及成功开发出96层QLC(4-bit)NAND。

东芝96层3D TLC NAND将在Q4扩大出货,还推出新XG6系列SSD,容量从256GB起跳,最高达1TB,以及提出基于XL-Flash低延迟3D NAND,类似于模拟成SLC NAND一样。西部数据称成功研发的96层QLC(4-bit)NAND,单Die容量最高可达1.33Tb,正在送样阶段,将优先用于SanDisk品牌下销售的消费级闪存产品,下半年批量出货。

美光与英特尔发布3D QLC NAND,采用QLC技术SSD出货

美光与英特尔开始量产64层QLC(4-bit)NAND,单颗Die容量达1Tb,美光基于64层QLC NAND推出5210 ION系列SSD,且已开始对战略合作伙伴的客户出货,预计Q4将会扩大供货。英特尔基于64层QLC NAND针对数据中心领域推出PCIe SSD D5-P4320,容量最高8TB,针对消费类市场推出660P系列SSD,最高容量2TB。

美光和英特尔联合研发的第二代3D Xpoint将于2019年上半年面世,下一代的96层3D NAND已送样给客户,预计将在2018年底量产。

SK海力士推出4D NAND,96层堆叠512Gb TLC

SK海力士推出的4D NAND,采用CTF(Charge Trap Flash,电荷捕获型),存储单元面积更小、速度更快、更耐用(P/E次数多)。与传统架构相比,4D NAND的外围电路(PUC,Peri.Circuits)架构,可缩小芯片面积、缩短处理工时、降低成本。与采用72层堆叠的V4 3D TLC相比,96层堆叠的4D NAND面积减小30%、读速提升25%、写速提升30%。

SK海力士4D NAND初期是96层堆叠的512Gb TLC,I/O接口速度1.2Gbps,预计将在今年Q4送样。SK海力士还将推出96层QLC NAND,单Die容量1Tb,预计将在2019年下半年送样。

长江存储公布新技术Xtacking,将用于64层3D NAND,2019年投产

长江存储(YMTC)发布其突破性技术——Xtacking,为3D NAND带来高I/O性能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期,荣获美国FMS峰会“最具创新初创闪存企业”大奖。

长江存储Xtacking技术使得产品开发时间缩短三个月,生产周期可缩短20%,NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps,将外围电路置于存储单元之上,比传统3D NAND更高的存储密度。  长江存储已在武汉存储基地生产32层3D NAND,新Xtacking技术会应用于第二代64层3D NAND产品的开发,计划于2019年实现量产。”

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