编辑:Helan 发布:2018-08-06 11:16
4日,在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司(国家存储器基地),紫光集团联席总裁刁石京透露,中国首批拥有自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片将于今年第四季度在此实现量产。
据悉,长江存储于2017年成功研发中国首颗32层3D NAND闪存芯片,并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。
这颗芯片,耗资10亿美元,由1000人团队历时2年自主研发,是中国主流芯片中研发制造水平最接近世界一流的高端存储芯片,实现了中国存储芯片“零”的突破。
刁石京介绍,目前,芯片生产设备正在进行安装调试,今年第四季度,32层3D NAND闪存芯片将在一号芯片生产厂房进行量产。此外,64层3D NAND闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行,计划2019年实现量产。
刁石京表示,中国芯片技术落后于世界,但自主研发的脚步始终没有停止,两代芯片实现量产后将缩短与美国、日本、韩国等国家在存储芯片上的差距。
据悉,长江存储由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团共同投资建设,负责国家存储器基地项目。
根据规划,至2023年,基地产能将达到每月30万片,并形成设计、测试、封装、制造、应用等上下游集群。
存储原厂 |
三星电子 | 81300 | KRW | 0% |
SK海力士 | 178000 | KRW | -0.89% |
美光科技 | 120.095 | USD | +0.74% |
英特尔 | 29.925 | USD | -2.46% |
西部数据 | 71.635 | USD | +0.20% |
南亚科 | 66.6 | TWD | -0.3% |
主控供应商 |
群联电子 | 724 | TWD | +0.56% |
慧荣科技 | 78.630 | USD | -0.14% |
美满科技 | 68.413 | USD | -0.39% |
点序 | 78.7 | TWD | -1.5% |
国科微 | 50.10 | CNY | -2.15% |
品牌/模组 |
江波龙 | 93.56 | CNY | -1.73% |
希捷科技 | 89.710 | USD | +0.22% |
宜鼎国际 | 292 | TWD | -0.34% |
创见资讯 | 100 | TWD | +0.3% |
威刚科技 | 120 | TWD | +4.8% |
世迈科技 | 18.520 | USD | -0.05% |
朗科科技 | 24.86 | CNY | -0.60% |
佰维存储 | 51.71 | CNY | +1.21% |
德明利 | 97.72 | CNY | -0.49% |
大为股份 | 11.16 | CNY | +0.18% |
封装厂商 |
华泰电子 | 61 | TWD | -0.97% |
力成 | 172.5 | TWD | -0.29% |
长电科技 | 26.20 | CNY | -1.76% |
日月光 | 150.5 | TWD | -0.33% |
通富微电 | 20.49 | CNY | -1.06% |
华天科技 | 8.08 | CNY | -1.94% |
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