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三星、海力士持续扩产 2018年DRAM产能成长挑战10%

来源:DIGITIMES 编辑:Helan 更新:2018/1/4 12:24:31

DRAM价格飙涨带动2017年全球半导体产值冲破4000亿美元,国际半导体产业协会SEMI预估,在三星电子、SK海力士(SK Hynix)持续扩展DRAM产能下,2018年DRAM供给端产能可能再成长10%,这是很大的成长,然终端需求也急起直追,估计到2021年,DRAM年成长率上看30%。

存储器DRAM和3D NAND是这两年全球半导体产业的重要推手,2017年全球半导体产值4000亿美元当中,DRAM营收成长高达75%,3D NAND成长45%,两大领域都远高于整体IC产业20%的平均成长力道。

观察全球DRAM产业三大阵营三星、海力士、美光,三星、SK海力士两大韩系阵营在扩产脚步上是急踩油门,包括三星在韩国平泽(Pyeongtaek)的P1厂房和Line 15生产线,以及SK海力士的M14生产线;再者,美光在广岛的Fab 15和Fab 16也有DRAM扩产计划,但主要的增加仍是在韩系两大阵营。

SEMI估计,2017年DRAM厂设备支出约130亿美元,较前一年是成长一倍,预计2018年持续成长至140亿美元水平;再者,2017年DRAM产能增加幅度是3%,2018年成长幅度上看10%。

针对NAND产业,目前有扩产计划的业者包括三星平泽厂、SK海力士的M14生产线、美光Lehi和新加坡Fab 10X、东芝Fab 2/Fab 6,以及英特尔大连厂(Fab 68)等。

SEMI也估计,2017年NAND产业设备支出约190亿美元,较前一年100亿美元飞跃性成长,预计2018年NAND产业设备支出上看200亿美元;而3D NAND产业的产能在2017年成长130%,2018年预计再成长48%。

无论是DRAM和NAND Flash阵营对于扩增产能都是雄心壮志,但不要忽略需求端也是呈现大喷发姿态,根据SEMI统计,一直到2021年,DRAM需求端的成长率高达30%,而NAND Flash更是高达45%。

再者,驱动存储器产业往前冲刺的力道,可细分为四大驱动力,第一为物联网(IoT)相关应用;第二类是大规模运算(Large-Scale computing),涵盖固态硬盘(SSD)、存储器磁碟阵列Flash Arrays、人工智能(AI)、深度学习(Deep Learning)系统等;第三类是汽车电子相关应用;第四类是消费性产品、通讯产品等,可谓是各种应用产品都少不了存储器元件。

在三星、SK海力士(SK Hynix)努力扩产存储器下,韩国在2017年成为全球半导体设备支出的最大地区,从2016年的80亿美元跳跃成长至180亿美元,预计2018年也将达169亿美元的支出金额。

同时,SEMI预估,2018年大陆在半导体设备支出金额约113.3亿美元,成为第二大地区。

值得注意的是,SEMI分析,过去大陆的晶圆厂投资大多来自外来厂商,但2018年长江存储、福建晋华、华力、合肥长鑫等许多新进业者,都计划在大陆大举投资设厂,并且建置中。

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