权威的存储市场资讯平台English

联电:自主研发DRAM计划不变 明年Q4完成首阶段开发

来源:MoneyDJ 编辑:Helan 更新:2017/9/25 11:50:06

联电遭存储器大厂美光指控妨碍营业秘密,对此,联电共同总经理简山杰表示,对司法程序进行中的案件不应多言,但联电一向以保护智财产著称,也禁止员工不得使用其它公司营业机密公司;他强调,自主研发 DRAM的计划不会因此而改变,预计明年第四季完成第一阶段的技术研发;另外,展望公司未来发展蓝图,追求获利成长仍为首要目标。

简山杰甫于今年 6 月走马上任,对于因美光指控窃密而遭起诉一事,他指出,对司法程序进行中的案件不应多言,不过,联电极有可能是遇到商业间谍,高度怀疑涉案员工带枪投靠是假的,可能构陷入罪才是真的,意图妨碍联电DRAM研发计划,不过,联电坚持自主研发DRAM的计划不会改变,预计将会依计划在明年第四季完成第一阶段技术开发。

而展望联电未来发展蓝图,简山杰表示,联电过去专注于先进制程投资与研发,不过,新的方向是以追求获利成长为首要目标,不会再跟同业竞争先进制程。而联电也已订下有短中长期计划,短期为专注核心技术和提升营运效率,快速改善体质与提升获利;中期目标为扩大市占,而长期目标仍是开发新技术。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 10-17 17:33

Flash供应商
SamsungKRW2740000.00+1.63
TOSHIBAJPY345.00+1.77
HynixKRW83500.00-0.83
MicronUSD41.49+2.70
IntelUSD39.76+0.23
WDCUSD86.83-1.10
UNISCNY61.78-0.03
主控供应商
PhisonTWD368.00-1.08
SMIUSD51.50-0.83
ALCORTWD19.85-0.75
MarvellUSD18.27-0.05
Card/USB 供应商
TranscendTWD85.90-1.26
A-DATATWD89.60+3.23
封装厂商
SPILTWD48.50-0.51
OSETWD9.31-1.17
PTITWD94.20+0.43
JCETCNY19.47+3.62