编辑:Helan 发布:2018-08-14 18:50
什么是MRAM?
何为MRAM? 百度百科是这样说的:“MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。”
划重点:
MRAM是非挥发性介质;
MRAM是磁性随机存储介质;
MRAM具有RAM的读写速度;
MRAM可接近无限次写入。
MRAM特点
我们来看看MRAM有哪些特性。
首先看看MRAM有多快。
MRAM(Spin Torque MRAM)的读写速度跟DRAM差不多。3D-Xpoint、PCM等新型存储介质,在写速度方面跟MRAM相差二三个数量级。所有新型存储介质中,MRAM是唯一一个真正做到和DRAM一个级别访问速度的介质。
除此之外,MRAM还具有很好的数据保持性和宽的工作温度范围。
总结一下MRAM的特点:
基于闪存的SSD,由于每个block寿命有限,因此SSD固件需要做磨损均衡(wear leveling)算法。MRAM由于长生不老的特点,固件就无需实现wear leveling了。
闪存不能覆盖写(写之前需擦除block),因此SSD固件需要做垃圾回收。MRAM可以原地更新,因此不存在垃圾回收之说。
MRAM数据存储原理
我们知道,闪存数据存储在浮栅晶体管,通过往浮栅极注入电子的多少来表示逻辑“0”和“1”。
 
                    | 存储原厂 | 
| 三星电子 | 107500 | KRW | +3.27% | 
| SK海力士 | 559000 | KRW | -1.58% | 
| 铠侠 | 10825 | JPY | -0.69% | 
| 美光科技 | 224.010 | USD | -1.16% | 
| 西部数据 | 138.130 | USD | -2.30% | 
| 闪迪 | 195.820 | USD | -4.18% | 
| 南亚科技 | 132.5 | TWD | -1.49% | 
| 华邦电子 | 54.2 | TWD | -1.81% | 
| 主控厂商 | 
| 群联电子 | 1065 | TWD | -4.05% | 
| 慧荣科技 | 99.960 | USD | -0.64% | 
| 联芸科技 | 57.18 | CNY | -5.95% | 
| 点序 | 78.6 | TWD | -1.87% | 
| 品牌/模组 | 
| 江波龙 | 261.31 | CNY | -7.66% | 
| 希捷科技 | 268.335 | USD | +1.02% | 
| 宜鼎国际 | 431.0 | TWD | +0.58% | 
| 创见资讯 | 132.5 | TWD | -1.12% | 
| 威刚科技 | 198.0 | TWD | -0.50% | 
| 世迈科技 | 22.440 | USD | +0.22% | 
| 朗科科技 | 30.45 | CNY | -3.97% | 
| 佰维存储 | 131.00 | CNY | -3.46% | 
| 德明利 | 228.24 | CNY | +0.95% | 
| 大为股份 | 28.02 | CNY | +3.89% | 
| 封测厂商 | 
| 华泰电子 | 48.60 | TWD | +0.83% | 
| 力成 | 173.0 | TWD | -2.26% | 
| 长电科技 | 40.02 | CNY | -3.80% | 
| 日月光 | 247.5 | TWD | +10.00% | 
| 通富微电 | 42.45 | CNY | -4.99% | 
| 华天科技 | 12.06 | CNY | -1.71% | 
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