编辑:Helan 发布:2018-08-14 18:50
什么是MRAM?
何为MRAM? 百度百科是这样说的:“MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。”
划重点:
MRAM是非挥发性介质;
MRAM是磁性随机存储介质;
MRAM具有RAM的读写速度;
MRAM可接近无限次写入。
MRAM特点
我们来看看MRAM有哪些特性。
首先看看MRAM有多快。
MRAM(Spin Torque MRAM)的读写速度跟DRAM差不多。3D-Xpoint、PCM等新型存储介质,在写速度方面跟MRAM相差二三个数量级。所有新型存储介质中,MRAM是唯一一个真正做到和DRAM一个级别访问速度的介质。
除此之外,MRAM还具有很好的数据保持性和宽的工作温度范围。
总结一下MRAM的特点:
基于闪存的SSD,由于每个block寿命有限,因此SSD固件需要做磨损均衡(wear leveling)算法。MRAM由于长生不老的特点,固件就无需实现wear leveling了。
闪存不能覆盖写(写之前需擦除block),因此SSD固件需要做垃圾回收。MRAM可以原地更新,因此不存在垃圾回收之说。
MRAM数据存储原理
我们知道,闪存数据存储在浮栅晶体管,通过往浮栅极注入电子的多少来表示逻辑“0”和“1”。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 119900 | KRW | +0.33% |
| SK海力士 | 651000 | KRW | +1.72% |
| 铠侠 | 10435 | JPY | -2.25% |
| 美光科技 | 292.630 | USD | -0.59% |
| 西部数据 | 176.060 | USD | -2.01% |
| 闪迪 | 240.220 | USD | -1.65% |
| 南亚科技 | 193.0 | TWD | -0.77% |
| 华邦电子 | 82.6 | TWD | -1.31% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 1450 | TWD | +8.21% |
| 慧荣科技 | 90.460 | USD | +1.49% |
| 联芸科技 | 45.18 | CNY | -2.04% |
| 点序 | 78.3 | TWD | +1.82% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 244.84 | CNY | -3.89% |
| 希捷科技 | 280.080 | USD | -0.43% |
| 宜鼎国际 | 576 | TWD | +9.92% |
| 创见资讯 | 196.0 | TWD | 0.00% |
| 威刚科技 | 279.5 | TWD | +7.29% |
| 世迈科技 | 20.030 | USD | +0.15% |
| 朗科科技 | 25.70 | CNY | -0.62% |
| 佰维存储 | 114.79 | CNY | -2.63% |
| 德明利 | 231.89 | CNY | -3.65% |
| 大为股份 | 25.98 | CNY | -2.73% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 56.0 | TWD | +1.45% |
| 力成 | 173.0 | TWD | -1.14% |
| 长电科技 | 36.78 | CNY | -0.86% |
| 日月光 | 250.5 | TWD | +0.60% |
| 通富微电 | 37.70 | CNY | -1.54% |
| 华天科技 | 10.97 | CNY | -0.72% |
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