U盘体积小巧，构造简单，其主要由外壳、控制芯片、NAND FLASH闪存芯片、PCB电路板以及少量元气件组成。其中NAND FLASH闪存芯片是整个优盘的核心部件，它负责储存数据，占整体成本的70%左右。因此，NAND FLASH闪存芯片的价格走势直接影响到优盘的最终零售价格。
U盘的组成
U盘硬件主要由USB接口、主控芯片、flash芯片、晶体振荡器组成。USB接口有四根边接线，有5V、地和两根数据线。
U盘芯片
U盘中用的flash芯片的品牌主要有三星Samsung、现代Hynix、晟碟SANDISK、镁光Micron等。FLASH芯片按类型又分为SLC和MLC。SLC全称是Single-Level Cell，即单层单元闪存，而MLC全称则是Multi-Level Cell，即为多层单元闪存。它们之间的区别，在于SLC每一个单元，只能存储一位数据，MLC每一个单元可以存储两位数据，MCL的数据密度要比SLC 大一倍。SLC因单一存储单元只能存放一个Bit的资料，所以成本高价格贵，但是效率高速度快，可靠性高，MLC正相反。它们的主要差别：
1.理论寿命：SLC 10万次 MLC 1万次
2.写速度：SLC 8MB/S、MLC为2MB/S
3.耗电：SLC能耗比MLC低，在相同使用条件下比MLC少15%左右的电流消耗。
4.单片容量：由于SLC是使用单层的单元存储，相对与MLC的多层单元存储来说容量方面有限制，市面上也比较少见2G以上的SLC单颗闪存芯片。
虽然与SLC相比，MLC看起来缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。MLC在架构上取胜SLC，而且国内外厂商也针对MLC做了很多的优化和开发，未来很有可能取代SLC闪存芯片。
随着技术的不断进步，纳米制程不断微缩，从而加速TLC(Triple-Level Cell)NAND闪存技术不断升温，TLC也是生产NAND闪存的一种架构，并且此架构1个记忆体储存单元可存放3位元。TLC NAND闪存技术是目前最先进的技术。我们以4GB、8GB容量的闪存卡Micro SD为例来说明，在4GB容量闪存卡上目前普遍作法都是用2颗16Gb晶片去堆叠，在堆叠的过程中，良率会降低，但如果用1颗32Gb的TLC晶片去生产4GB容量的闪存卡，成本结构会较划算，良率也会提高很多；在8GB容量闪存卡上，则可用2颗32Gb TLC芯片。由此以来，采用TLC NAND闪存技术使Micro SD闪存容量大增，NAND闪存成本将大幅降低。
正片：芯片厂商生产出来的晶圆是按容量分等级的，高于93％容量的晶圆被称为A级品，简称A片，原厂封装并提供质保，品牌闪存一般使用此类芯片。
白片：低于93％容量的晶圆被称为Downgrade Flash，不再打上原厂的镭刻标识，由一些小封装厂进行加工。其中相对足量，稳定使用的一般称之为白片。价格一般为A级品的7成至8成。
黑片：代封装芯片中容量严重不足、质量难以保障的为黑片。另外部分不良商家回收废旧闪存芯片，打磨而成的闪存芯片一般也称之为黑片。
U盘的主控方案
主控方案主要有：擎泰Skymedi方案、群联Phison方案、联盛USBest方案、慧荣SMI方案、OTI方案、芯邦Chipsbank方案、朗科Netac方案、安国(群胜)Alcor方案、我想iCreate方案、超科威Ameco方案等。
U盘的晶体振荡器
是U盘中的关键元件，而且是一个比较容易损坏的器件，特别是受到大的振动易坏，所以如果U盘被摔过后不能用了，一般都是它坏了。U盘中的晶体有插件式的和贴片式的两种，很多名牌U盘中都使用贴片式的晶体。
