编辑:Helan 发布:2009-10-19 16:40
产生坏块的原因是因为NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,所以,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。
一、坏块的具体表现:
当编程/擦除这个块时,不能将某些位拉高,这会造成Page Program和Block Erase操作时的错误,相应地反映到Status Register的相应位。
二、坏块的种类:
1.先天性坏块
这种坏块是在生产过程中产生的,一般芯片原厂都会在出厂时都会将坏块第一个page的spare area的第6个byte标记为不等于0xff的值。
2. 后天性坏块
这种坏块是在NAND Flash使用过程中产生的,如果Block Erase或者Page Program错误,就可以简单地将这个块作为坏块来处理,这个时候需要把坏块标记起来。为了和先天性坏块信息保持一致,将新发现的坏块的第一个page的spare area的第6个Byte标记为非0xff的值。
三、坏块的处理
理解了先天性坏块和后天性坏块后,我们已明白NAND Flash出厂时在spare area中已经反映出了坏块信息,因此,如果在擦除一个块之前,一定要先check一下spare area的第6个byte是否是0xff,如果是就证明这是一个好块,可以擦除;如果是非0xff,那么就不能擦除。不过,这样处理可能会错杀伪坏块,因为在芯片操作过程中可能由于电压不稳定等偶然因素会造成NAND操作的错误。但是,为了数据的可靠性及软件设计的简单化,坏块一个也不能放过。
四、错杀坏块的补救方法
如果在对一个块的某个page进行编程的时候发生了错误就要把这个块标记为坏块,首先就要把其他好的page里面的内容备份到另外一个空的好块里面,然后,把这个块标记为坏块。当发生"错杀"之后,我们可以在进行完页备份之后,再将这个块擦除一遍,如果Block Erase发生错误,那就证明这个块是个真正的坏块,放心的做好标记吧!
最后需要补充说明的是,之所以要使用spare area的第六个byte作为坏块标记,是因为NAND Flash生产商的默认约定,例如:Samsung,Toshiba,STMicroelectronics都是使用这个Byte作为坏块标记的。
存储原厂 |
三星电子 | 76700 | KRW | +0.52% |
SK海力士 | 177800 | KRW | +4.22% |
美光科技 | 114.84 | USD | +2.92% |
英特尔 | 31.88 | USD | -9.20% |
西部数据 | 71.36 | USD | +2.76% |
南亚科 | 65.7 | TWD | +0.15% |
主控供应商 |
群联电子 | 710 | TWD | +2.01% |
慧荣科技 | 73.35 | USD | +0.58% |
美满科技 | 69.62 | USD | +3.17% |
点序 | 77.6 | TWD | -0.64% |
国科微 | 48.61 | CNY | +2.06% |
品牌/模组 |
江波龙 | 97.81 | CNY | -0.03% |
希捷科技 | 86.04 | USD | -1.40% |
宜鼎国际 | 286.5 | TWD | +1.24% |
创见资讯 | 91.4 | TWD | +1.44% |
威刚科技 | 99.1 | TWD | +0.41% |
世迈科技 | 18.34 | USD | -0.81% |
朗科科技 | 26.05 | CNY | +4.58% |
佰维存储 | 51.53 | CNY | +4.74% |
德明利 | 100.60 | CNY | +7.23% |
大为股份 | 11.23 | CNY | +1.91% |
封装厂商 |
华泰电子 | 62.9 | TWD | +0.48% |
力成 | 173 | TWD | 0% |
长电科技 | 25.17 | CNY | +3.54% |
日月光 | 142.5 | TWD | -1.72% |
通富微电 | 21.12 | CNY | +5.55% |
华天科技 | 7.87 | CNY | +3.42% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2