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232层3D NAND有何不同?美光将在CFMS2022揭示其持续的存储创新技术

编辑:CFM 发布:2022-08-18 14:54

半导体存储芯片行业的发展是一个不断突破极限的过程。随着物联网、自动驾驶、智能工厂、元宇宙等数据密集型行业的发展,在推动着数字时代向前的同时,也对数据存储提出了更高的要求。

自1980年代NAND Flash问世以来,经历过SLC、MLC、TLC也发展到了现在的QLC,到2022年其堆叠层数更是迈进了200+层,闪存技术朝着速度更快、成本更低、容量更大的方向不断前进。同样,DRAM也引入EUV并向更微缩制程演进。

我们也看到,各大原厂都在存储技术上不断探索创新,其中:

· SK海力士已成功研发238层4D NAND,计划2023年上半年投入量产;

· 供应链消息称长江存储新一代3D闪存也达到232层;

· Kioxia/WD也公布其下一代BiCS 7的堆叠层数将达到212层;

· 有消息称三星最新236层V-NAND将于年内实现批量生产。

作为全球主要存储原厂之一的美光,更是最早宣布其下一代 232 层 NAND 闪存将于 2022 年底前实现量产。这些技术上的更迭创新又会如何引导应用需求的变化发展?

9月20日,美光集团副总裁Dinesh Bahal先生将再度在中国深圳召开的中国闪存市场峰会(CFMS2022)上发表演讲,展示美光不断持续的技术创新。

美光新推出的 232 层 NAND 基于CuA架构,单颗Die容量可达1Tb,较上一代比特密度高出45%以上,密度的增加也进一步改善了封装规格,全新11.5mm x 13.5mm封装尺寸较前几代减小28%。这些突破意味着大容量、高性能的存储产品将能搭载在更多类型的设备上。

凭借 232 层 3D NAND,美光也再一次提升了 NAND 技术的业界基准,期待该技术能掀起新一波产品创新的浪潮。对此,美光集团副总裁Dinesh Bahal先生将在CFMS2022上发表《美光持续的存储创新》的演说,探讨美光在技术上的创新突破以揭示产业未来的发展方向。

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股市快讯 更新于: 10-06 09:00,数据存在延时

存储原厂
三星电子56500KRW+2.36%
SK海力士90800KRW+5.34%
美光科技54.73USD+1.43%
英特尔27.64USD-0.22%
西部数据37.17USD+1.95%
南亚科51.4TWD+2.9%
主控供应商
群联电子288TWD+1.95%
慧荣科技67.93USD-1.84%
美满科技48.36USD+2.81%
点序63.8TWD-1.54%
国科微66.06CNY-1.02%
品牌/销售
江波龙51.69CNY-4.14%
希捷科技57.43USD+0.75%
宜鼎国际158TWD+0.32%
创见资讯65.3TWD+1.24%
威刚科技53.3TWD-0.19%
世迈科技15.80USD-7.11%
朗科科技10.66CNY-2.11%
封装厂商
华泰电子17.1TWD+1.48%
力成77.9TWD-0.64%
长电科技21.43CNY-0.97%
日月光81.9TWD+2.63%
通富微电15.08CNY-2.77%
华天科技8.10CNY-0.49%