三星、SK海力士最近说了啥？将影响下一代DRAM、NAND技术发展！

据韩媒报道，日前，三星和SK海力士公开了其关于下一代半导体技术战略：三星计划批量生产全球首批采用GAA（Gate all around）技术的芯片，SK海力士将于明年在M16工厂的DRAM工艺中引入EUV。

三星若成功实现GAA技术量产，将在晶圆代工和3D NAND领域提高技术领先优势

三星晶圆代工业务执行董事Kang Moon-soo表示，“我们为拥有全球领先的GAA技术而感到自豪，并计划量产全球首批采用GAA技术生产的产品。”

GAA技术是由目前业内广泛使用的Fin-FET技术演化而来的，其特点是实现了栅极对沟道的四面包裹，源极和漏极不再和基底接触，而是利用线状（可以理解为棍状）或者平板状、片状等多个源极和漏极横向垂直于栅极分布后，实现MOSFET的基本结构和功能。这样设计在很大程度上解决了栅极间距尺寸减小后带来的各种问题，包括电容效应等，再加上沟道被栅极四面包裹，因此沟道电流也比FinFET的三面包裹更为顺畅。在应用了GAA技术后，业内估计基本上可以解决3nm乃至以下尺寸的半导体制造问题。

FinFET之后的技术路线进展方案

来源：公开信息

目前，开始开发GAA技术的晶圆代工企业仅有三星、台积电和英特尔，因此，如果三星率先实现GAA技术的量产，将能取得一定的领先优势。

GAA技术不仅仅能促进晶圆代工技术的发展，在3D NAND领域也有重要作用。资料显示，GAA架构的3D NAND产品可实现出色的可靠性、可编程与读取性能更高、存储单元之间的屏蔽效果也更好。

SK海力士将在明年初采用EUV工艺量产1a nm级DRAM

此前，有媒体报道SK海力士将在M16工厂中引入EUV工艺，此次得到证实。SK海力士未来技术研究所负责人Lim Chang-moon表示，计划在第四代10nm级（1a）DRAM中应用EUV工艺，并目标在2021年初开始量产。

由于EUV工艺相较传统的DUV工艺在先进制程中可以减少制程数量，从而提升产品生产效率而被厂商积极采用。目前，三星已经在其DRAM制程中引入了EUV工艺。

然而，内存三巨头中的美光仍未任何采用EUV技术的消息，而三星和SK海力士率先实现DRAM EUV技术的量产将使韩国存储技术的领先地位进一步加强。