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三星发布采用45nm工艺技术的应用处理器

发布于:2009-07-08 来源:

韩国三星电子发布了采用45nm低功耗CMOS工艺技术的应用处理器“S5P6440”。其特点是图形性能高、功耗及成本低等。适用于PND等家电产品

全球数字储存媒体领导厂商—创见资讯 (Transcend Information, Inc.)于日前推出具温度感应器的DDR3内存系列

三星受益芯片面板涨价 二季度利润有望比上季增长5倍

发布于:2009-07-07 来源:中国闪存市场

IT巨头三星电子的股价昨日创造了一个月以来的新高。此前该公司预测,第二季度运营利润有望比上季增长5倍

力晶80万张新股出笼

发布于:2009-07-03 来源:中国闪存市场

力晶1.57亿美元海外可转换公司债(ECB)与债权人的协商邀约已超过九成比率门槛,并于日前股东常会决议通过,将近80万张的转换新股今(3)日起将上柜买卖。

群联今除权息早盘跳空涨停

发布于:2009-07-02 来源:中国闪存市场

群联电子今天除权息,股价表现强劲,早盘跳空涨停,达190元,距填权息仅剩6.5元。

慧荣Flash芯片获认证 美光量产34纳米闪存

发布于:2009-07-02 来源:中国闪存市场

内存IC设计公司慧荣科技昨(1)日表示,多款闪存(Flash)控制芯片已获美光认证,可望领先同业推出34奈米制程多层单元(MLC)Flash,可支援美光16Gb及32Gb的Flash

NAND flash不看淡群联攻顶

发布于:2009-07-01 来源:

群联(8299)明天将进行除权息,今股价开低走高并强势攻上涨停196.5元,为除权息行情暖身

美光科技有限公司公布2009财年第三季度业绩报告

发布于:2009-07-01 来源:中国闪存市场

美光今天公布了其截至2009年6月4日的2009财年第三季度经营业绩。2009财年第三季度,公司公布的销售净额为11亿美元,净亏损2.9亿美元,或摊薄后每股0.36美元。本季度末公司持有现金和投资额为13亿美元

Intel与UIT携手共同开发下一代存储平台

发布于:2009-06-30 来源:

英特尔公司6月27日宣布,与创新科存储技术有限公司(UIT)联合开发基于开放架构、标准化的下一代存储平台

矽品(2325-TW)董事会昨天公告,决议合并100%持有的子公司矽品投资有限公司,预定合并基准日为8/31。矽品董事会昨天亦决议每股配息1.8元,预定7/13除息。

股市快讯 09-23 20:16

Flash供应商
SamsungKRW49300.00+0.20%
TOSHIBAJPY3410.00+0.74%
HynixKRW82800.00+0.73%
MicronUSD49.16-1.32%
IntelUSD50.72-1.65%
WDCUSD60.68-3.14%
UNISCNY35.27+0.51%
NanyaTWD85.00+2.53%
主控供应商
PhisonTWD289.00-0.34%
SMIUSD32.55-1.84%
MarvellUSD24.84-3.01%
ASolidTWD35.100.00
RealtekTWD228.00+2.24%
GokeCNY43.00+0.87%
品牌/销售
SeagateUSD52.40-1.02%
InnodiskTWD148.500.00
TranscendTWD64.80-0.31%
A-DATATWD53.40+2.69%
SiSTWD8.35-0.24%
封装厂商
OSETWD18.75+2.46%
PTITWD85.40-0.58%
JCETCNY19.97+0.30%
ASETWD73.10-0.27%