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三星microSD卡编号信息

发布于:2009/8/28 10:54:46 来源:中国闪存市场

三星microSD卡编号信息

三星SD卡编号信息

发布于:2009/8/26 16:10:29 来源:中国闪存市场

三星SD卡编号信息

美光Flash颗粒编号信息

发布于:2009/8/26 16:02:52 来源:中国闪存市场

美光Flash颗的编号信息

英特尔Flash颗粒编号信息

发布于:2009/8/26 15:29:44 来源:中国闪存市场

英特尔Flash颗粒的编号信息

三星Flash颗粒编号信息

发布于:2009/8/26 15:15:34 来源:中国闪存市场

三星Flash颗粒编号信息

海力士Flash颗粒编号信息

发布于:2009/4/29 10:33:40 来源:中国闪存市场

海力士Flash颗粒的编号信息

闪存卡速度的具体划分

发布于:2009/2/20 14:16:10 来源:中国闪存市场

闪存卡的速度和光驱等设备采用相同的速度标准,以150KB/s为1倍速(1X),所以一块闪存卡如果标称为40X,那么它的速度就应该是150KB/s X 40 =6.0MB/s。而读写速度一般来说并不是相同的,所以闪存卡应该分别标出读...

SD卡以及闪存介质的修复方法

发布于:2009/2/20 14:13:06 来源:中国闪存市场

随着闪存卡的价格迅速降低、容量逐渐增大,以FLASH为存储介质的闪存卡、SD卡、CF卡、U盘等移动存储大量普及。随之带来的问题是物理或逻辑损坏的闪存卡也逐渐增多。其实有些小毛病还是可以自行处理的。文中提及的...

当今芯片技术发展的历史和现状

发布于:2009/2/20 14:12:31 来源:中国闪存市场

FPM 曾经一度是计算机中最常见的 DRAM 形式。事实上,由于 FPM 如此常见,它被省略 "FPM" 而直接称为 "DRAM" , FPM 以更快存取位于同一列的数据的速度提供了较早期内存科技更多的优势。

细数当今芯片封装的几种方式

发布于:2009/2/20 14:11:23 来源:中国闪存市场

芯片包装指包裹于硅晶外层的物质。目前最常见的包装称为 TSOP(Thin Small Outline Packaging) ,早期的芯片设计以 DIP(Dual In-line Package) 以及 SOJ(Small Outline J-lead) 的

股市快讯 10-19 04:50

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