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低密度NAND Flash芯片支撑价格,整体价格继续表现稳健

低密度NAND Flash芯片支撑价格,整体价格继续表现稳健

发布:2009-08-10 14:32

2009年三星策略上减少现货市场的供货量,以系统业者大客户为主,加上释放到现货市场的记忆卡成卡数量也减少,因此是2009年NAND Flash价格稳健的主因之一。

东芝工厂停电进一步马刺低密度NAND闪存价格

东芝工厂停电进一步马刺低密度NAND闪存价格

发布:2009-08-03 16:48

低密度microSD卡,消息东芝工厂停电从而有助于进一步促进低密度NAND闪存芯片的价格在本周( 7月27号至31号)持续上升。

NAND闪存保持相对稳定

NAND闪存保持相对稳定

发布:2009-07-28 15:46

我们认为,改善记忆卡的需求在本周( 7月20号至24号) ,体现于更多的内存卡交易。

DRAM产业再造工业局长杜紫军:TMC正式启动而非破局

DRAM产业再造工业局长杜紫军:TMC正式启动而非破局

发布:2009-07-22 15:15

经济部工业局今(22)日举行「DARM产业再造方案」说明会,局长杜紫军在会后记者会中,率先针对TMC破局的市场看法澄清,政府对于DRAM产业再造上,希望进行结构性的改变,因此才会拖了这么久,如今「DRAM产业再造方案...

7月上旬NAND Flash交投淡静

7月上旬NAND Flash交投淡静

发布:2009-07-13 07:53

下游客户采购意愿仍低,上游供应商也持续小幅调低主流 MLC NAND Flash 合约价, 7 月上旬主流的 MLC NAND Flash 合约价大致呈现小幅下跌约 1% 到 5%

NAND flash需求疲弱 DRAM价格上扬交易不明显

NAND flash需求疲弱 DRAM价格上扬交易不明显

发布:2009-07-06 15:03

年中库存盘点,导致上周NAND闪存现货市场需求下降,整体价格保持稳定;DRAM上周交易仍然有限,需求疲弱

34nm降价压制整体现货价 合约均价持平或小跌

34nm降价压制整体现货价 合约均价持平或小跌

发布:2009-06-29 14:00

NAND闪存的现货市场上周( 6月22-26段)持续疲弱,市场焦点主要集中在英特尔的34nm芯片,而合约价大致呈现持平或小跌的情况,近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。

DRAM反应清淡 flash回软

DRAM反应清淡 flash回软

发布:2009-06-22 11:36

DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%,唯成交反应清淡;季底效应与淡季因素,NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势

NAND平稳,DRAM现货价跌

NAND平稳,DRAM现货价跌

发布:2009-06-15 12:17

NAND flash 市场上周价格整体表现平稳整,体需求较弱,买气不足;DRAM上周现货市场价格急剧下跌

Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未

Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未

发布:2009-06-10 11:15

Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未来DRAM之发展

股市快讯 09-23 03:21

Flash供应商
SamsungKRW49200.00+0.10%
TOSHIBAJPY3410.00+0.74%
HynixKRW82200.00-0.60%
MicronUSD49.16-1.32%
IntelUSD50.72-1.65%
WDCUSD60.68-3.14%
UNISCNY35.09+2.93%
NanyaTWD82.90+1.84%
主控供应商
PhisonTWD290.00-0.34%
SMIUSD32.55-1.84%
MarvellUSD24.84-3.01%
ASolidTWD35.10+0.14%
RealtekTWD223.00-0.45%
GokeCNY42.63+2.75%
品牌/销售
SeagateUSD52.40-1.02%
InnodiskTWD148.50+1.37%
TranscendTWD65.00-0.31%
A-DATATWD52.00+0.39%
SiSTWD8.37+3.21%
封装厂商
OSETWD18.30-0.81%
PTITWD85.90-0.23%
JCETCNY19.91+4.30%
ASETWD73.30+0.14%